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?為什么需要MOSFET驅(qū)動(dòng)器？

要驅(qū)動(dòng)大容量MOSFET需要提供短時(shí)瞬間大電流，并在溝道開(kāi)通后維持合適的柵源電壓(10～15V)，如果用普通控制芯片或單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng)，輸出電流不夠，輸出電壓也沒(méi)有這么高，所以需要驅(qū)動(dòng)器抄。有些控制芯片如UCC28C43自身集成了驅(qū)動(dòng)器，可以直接驅(qū)動(dòng)小容量MOSFET。

MOSFET不需要電流zhidao，是因?yàn)闇系篱_(kāi)通后，不需要像BJT那樣必須維持一個(gè)基極電流Ib，但在溝道從關(guān)閉到到開(kāi)通前，必須用瞬態(tài)大電流給MOSFET柵極電容充電。

深圳市瑞泰威科技有限公司是國(guó)內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。與國(guó)內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。自公司成立以來(lái)，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無(wú)線通信IC、消費(fèi)類IC等行業(yè)。

對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路有什么要求

IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求：

(1)提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開(kāi)通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開(kāi)通損耗均下降,但若UGE過(guò)大,則負(fù)載短路時(shí)其IC隨UGE增大而增大,對(duì)其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過(guò)大而使IGBT誤導(dǎo)通,一般選UGE=-5V為宜。

(2)IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮?？焖匍_(kāi)通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開(kāi)關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下,IGBT的開(kāi)頻率不宜過(guò)大,因?yàn)楦咚匍_(kāi)斷和關(guān)斷會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。

(3)IGBT開(kāi)通后,驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過(guò)載情況下不致退出飽和而損壞。

(4)IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對(duì)工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會(huì)增加IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)損耗;RG較小,會(huì)引起電流上升率增大,使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐～幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。

(5)驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對(duì)IG2BT的保護(hù)功能。IGBT的控制、 驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路等應(yīng)與其高速開(kāi)關(guān)特性相匹配,另外,在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開(kāi)路。

?晶片購(gòu)買價(jià)格

對(duì)芯片的采購(gòu)，分為前期和后期兩個(gè)階段。

晶片采購(gòu)前期，就是晶片的選擇，品牌的選擇，數(shù)量的確定，在項(xiàng)目電路方案評(píng)審之前，是工程師的主要工作內(nèi)容，工程師對(duì)項(xiàng)目的方案BOM表進(jìn)行審核，并以此初步估算項(xiàng)目的成本。

晚些時(shí)候，是芯片的批量采購(gòu)，是根據(jù)工程師提供的BOM表，和芯片供應(yīng)商商談后的批量采購(gòu)價(jià)格。

晶片的終批量采購(gòu)價(jià)格，一般是在前期工程師晶片采購(gòu)價(jià)格估算的基礎(chǔ)上，多次與廠商進(jìn)行降價(jià)的結(jié)果。它還可以解釋工程師們關(guān)注芯片采購(gòu)的必要性。