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對IGBT驅(qū)動電路有什么要求

IGBT對驅(qū)動電路的要求：

(1)提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降,但若UGE過大,則負(fù)載短路時(shí)其IC隨UGE增大而增大,對其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過大而使IGBT誤導(dǎo)通,一般選UGE=-5V為宜。

(2)IGBT的開關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮?？焖匍_通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下,IGBT的開頻率不宜過大,因?yàn)楦咚匍_斷和關(guān)斷會產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。

(3)IGBT開通后,驅(qū)動電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。

(4)IGBT驅(qū)動電路中的電阻RG對工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會增加IGBT的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗;RG較小,會引起電流上升率增大,使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐～幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。

(5)驅(qū)動電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對IG2BT的保護(hù)功能。IGBT的控制、 驅(qū)動及保護(hù)電路等應(yīng)與其高速開關(guān)特性相匹配,另外,在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開路。

疫情下電子屏驅(qū)動Ic影響

現(xiàn)在晶片一代廠產(chǎn)量正常，未受傳然病嚴(yán)重影響。但需要注意兩點(diǎn)。首先，從去年第四季度開始，集成電路產(chǎn)業(yè)整體需求非常旺盛，晶片廠已經(jīng)全部投產(chǎn)，如果沒有在這個(gè)行業(yè)中有影響力的IC設(shè)計(jì)公司，就很難獲得更大的產(chǎn)能。二是韓日進(jìn)入擴(kuò)散期，韓國家和日在集成電路供應(yīng)鏈中扮演著重要角色，其影響不容忽視。

雖然受疾病影響，2月份許多LED電子顯示屏廠并未恢復(fù)正常生產(chǎn)，但出口LED電子顯示屏廠出貨強(qiáng)勁，需求持續(xù)快速增長。三月份LED顯示屏廠基本全部開工，從收到的訂單量來看，需求并未減少，反而超過了去年四季度月度發(fā)貨量。二季度，國內(nèi)需求市場可能會放緩，但受抑制的需求會隨著傳然病的逐步控制而反彈。

?MOS管驅(qū)動要求

良好的MOSFET驅(qū)動電路需要滿足以下要求：

1、開關(guān)管開啟瞬時(shí)，驅(qū)動電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流，使MOSFET柵源極之間的電壓迅速上升到所需的值，以保證開關(guān)管能迅速開啟，且無高頻振蕩沿上升方向。

2、開關(guān)導(dǎo)通期間的驅(qū)動電路能夠保證MOSFET柵源間電壓的穩(wěn)定和可靠導(dǎo)通。

3、關(guān)斷瞬時(shí)驅(qū)動電路為MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放提供了盡可能低的阻抗，保證了開關(guān)管的快速關(guān)斷。

4、驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單可靠，損耗小。

5、視情況實(shí)行隔離。