功率模塊IGBT模塊定制 SKM50GB123D 供應(yīng)發(fā)售
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系列 IGBT系列
封裝 標(biāo)準(zhǔn)封裝
批號 new
可控硅類型 硅(si)
種類 化合物半導(dǎo)體
商品介紹
IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同,當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時,IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi), Id 與Ugs呈線性關(guān)系。柵源電壓受漏極電流限制,其值一般取為15V左右。
功率模塊IGBT模塊定制,功率半導(dǎo)體器件
IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET,但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時間,但關(guān)斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3~4V,和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。
功率模塊IGBT模塊定制,功率半導(dǎo)體器件
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,加入N+緩沖區(qū)后,反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平,因此限制了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。
功率模塊IGBT模塊定制,功率半導(dǎo)體器件
IGBT 在開通過程中,大部分時間是作為MOSFET 來運行的,只是在漏源電壓Uds 下降過程后期, PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間,tri 為電流上升時間。實際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和,漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。
聯(lián)系方式
公司名稱 上海菲茲電子科技有限公司
聯(lián)系賣家 張嵐颯 (QQ:1539653456)
電話 ῧῨῡ-῟ῡῧῧῦῡῨ῟
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傳真 ῧῨῡ-ῤῡῠῢῤῠῤῥ
地址 上海市