深圳市瑞泰威科技有限公司主營(yíng)：各類驅(qū)動(dòng)IC,存儲(chǔ)IC,傳感器IC,觸摸IC銷售,
MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路（二）

模擬電路

有一段時(shí)間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計(jì)工程師的，因?yàn)槟M電路設(shè)計(jì)重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動(dòng)力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進(jìn)，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒有BJT的一些致命缺點(diǎn)，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代。

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時(shí)用MOSFET設(shè)計(jì)模擬電路的另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn)也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本獨(dú)立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個(gè)芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號(hào)電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)出效能更好的產(chǎn)品。

新型LED驅(qū)動(dòng)器IC與傳統(tǒng)產(chǎn)品的比較

傳統(tǒng)產(chǎn)品如果沒有配備外部電路，當(dāng)電池電壓下降時(shí)，會(huì)導(dǎo)致LED燈關(guān)閉，可能會(huì)在車輛運(yùn)行中造成危險(xiǎn)情況。不過，羅姆的新型LED驅(qū)動(dòng)器IC在提供穩(wěn)定照明的同時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)插座式LED燈的小型化。瑞泰威驅(qū)動(dòng)IC廠家，是國(guó)內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。

此外，該IC還內(nèi)置了抑制LED產(chǎn)生熱量的功能，為通常運(yùn)行時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱量的白色LED燈提供支持，可用于使用白色LED燈的DRL和其他車輛照明系統(tǒng)中。

DDR做為運(yùn)用普遍的動(dòng)態(tài)性隨機(jī)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器，被運(yùn)用于無線路由器、光纖貓等機(jī)器設(shè)備中，DDR容許在脈沖發(fā)生器的上升沿和降低沿讀出數(shù)據(jù)，因此其速率是規(guī)范SDRAM的二倍。

以瑞泰威發(fā)布的高質(zhì)量DDR為例子，容積為64Mb*16/128Mb*16/255Mb*16/512Mb*16等，

封裝規(guī)格BGA96Ball8*14mm/7.5*13.5毫米等，操作溫度0°C~85°C，工作標(biāo)準(zhǔn)電壓1.9V/1.35V，有著優(yōu)異的速率傳送數(shù)據(jù)，能夠 迅速、輕輕松松地解決很多工作中負(fù)荷，在更迅速與更節(jié)電的另外亦可以增強(qiáng)信號(hào)的一致性、改進(jìn)材料傳送及存儲(chǔ)的可信性。