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MOSFET幾種典型驅(qū)動電路（一）

MOSFET數(shù)字電路

數(shù)字科技的進步，如微處理器運算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導體主動元件中快的一種。MOSFET在數(shù)字信號處理上的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結(jié)構(gòu)好處是理論上不會有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動作時才有電流通過。CMOS邏輯門基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉(zhuǎn)換的瞬間同一時間內(nèi)必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導通的狀態(tài)下，另一種必定是截止狀態(tài)，這使得從電源端到接地端不會有直接導通的路徑，大量節(jié)省了電流或功率的消耗，也降低了集成電路的發(fā)熱量。

MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢是對直流（DC）信號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易于驅(qū)動。在CMOS邏輯電路里，除了負責驅(qū)動芯片外負載（off-chip load）的驅(qū)動器（driver）外，每一級的邏輯門都只要面對同樣是MOSFET的柵極，如此一來較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如常見的TTL）就沒有這些優(yōu)勢。MOSFET的柵極輸入電阻無限大對于電路設(shè)計工程師而言亦有其他優(yōu)點，例如較不需考慮邏輯門輸出端的負載效應(yīng)（loading effect）。

存儲芯片可簡易分成閃存芯片和運行內(nèi)存，閃存芯片包含NANDFLASH和NORFLASH，運行內(nèi)存關(guān)鍵為DRAM。以便更為便捷的了解存儲芯片的功效，假如把實行一段詳細的程序流程形容成生產(chǎn)制造一個商品，那麼存儲芯片等同于庫房，而CPU等同于生產(chǎn)加工生產(chǎn)車間。

以便提升商品生產(chǎn)制造的速率，提高生產(chǎn)加工生產(chǎn)車間的是一個方式 ，也就是提升CPU的特性；還有一個方式 便是減少原料從庫房到生產(chǎn)加工生產(chǎn)車間的時間，設(shè)定一個臨時性的小倉庫，堆積現(xiàn)階段專業(yè)生產(chǎn)制造的商品的原料，能夠 大大縮短生產(chǎn)制造時間。倉庫等同于存儲芯片中的閃存芯片，而小倉庫則等同于存儲芯片中的運行內(nèi)存，針對電子設(shè)備的運作都必不可少，因而他們在商品的運用范疇上擁有很高的重疊度。

1、驅(qū)動芯片的封裝應(yīng)該有利于驅(qū)動芯片管芯的快速散熱，例如直接將裸片固定在銅片上，并且有一針直接延伸到封裝外部，以便于直接在PCB板的銅箔上直接導熱。當電流達到300~1,000mA時，類似于4X4mm的芯片一定會產(chǎn)生功率損耗和發(fā)熱，因此，芯片本身的物理散熱結(jié)構(gòu)也很重要。

2、驅(qū)動芯片抗EMI、噪音和高壓的性能也與整個LED燈具產(chǎn)品能否順利通過CE、UL等認證有關(guān)，因此在驅(qū)動芯片設(shè)計中要選擇先進的拓樸結(jié)構(gòu)和高壓生產(chǎn)工藝。

3、驅(qū)動芯片本身的功耗要求小于0.5W，開關(guān)工作頻率要求大于120Hz，以免工頻干擾引起可見閃爍。

總之，無論是筒燈還是照明燈具都離不開驅(qū)動芯片。