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igbt驅(qū)動電路的簡介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。

直流電機(jī)驅(qū)動芯片應(yīng)該怎么選擇？

目前用的的一個H橋驅(qū)動芯片zd：L928N，這個芯片是很簡單，很便宜，而且很容易買到，一個芯片里面就集成了2路的H橋電路，還帶PWM控制和電流采集。電機(jī)驅(qū)動芯片是集成有CMOS 控制電路和DMOS 功率器件的芯片，利用它可以與主處理回器、電機(jī)和增量型編碼器構(gòu)成一個答完整的運(yùn)動控制系統(tǒng)?？梢杂脕眚?qū)動直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)和繼電器等感性負(fù)載。

深圳市瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號。與國內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。自公司成立以來，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費(fèi)類IC等行業(yè)。

LED顯示器驅(qū)動器IC在LED顯示器發(fā)展趨勢道路上起著的尤為重要的促進(jìn)功效,做為一個清潔能源,環(huán)保節(jié)能是LED顯示器永恒不變的追求,另外也是考慮驅(qū)動器IC特性的一個關(guān)鍵規(guī)范。

在產(chǎn)品研發(fā)全過程中,在合理減少恒流電源轉(zhuǎn)折點(diǎn)工作電壓,從而將傳統(tǒng)式的9V開關(guān)電源減少至3.8V下列的另外,根據(jù)提升IC優(yōu)化算法和設(shè)計方案減少驅(qū)動器IC實際操作工作電壓與實際操作電流量。

LED顯示器應(yīng)用技術(shù)及情景持續(xù)迭代更新,為驅(qū)動器IC產(chǎn)生許多挑戰(zhàn),LED顯示器驅(qū)動器IC從技術(shù)上現(xiàn)有大提升,才可以助推LED顯示器制造行業(yè)的優(yōu)良發(fā)展趨勢,在未來可能我們一起更為另眼相看。