恒達(dá)蓄電池發(fā)電原理 

酞陽電池是一種對(duì)光有響應(yīng)并能將光能轉(zhuǎn)換成電力的器件。能產(chǎn)生光伏效應(yīng)的材料有許多種，如：單

晶硅，多晶硅， 非晶硅， ，硒銦銅等。它們的發(fā)電原理基本相同，現(xiàn)以晶體硅為例描述光發(fā)

電過程。 P型晶體硅經(jīng)過摻雜磷可得N型硅，形成P-N結(jié)。

當(dāng)光線照射酞陽電池表面時(shí)，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量傳遞給了硅原子，使電子發(fā)生了

躍遷，成為自由電子在P-N結(jié)兩側(cè)集聚形成了電位差，當(dāng)外部接通電路時(shí)，在該電壓的作用下，將會(huì)

有電流流過外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率。這個(gè)過程的的實(shí)質(zhì)是：光子能量轉(zhuǎn)換成電能的過程。

一、酞陽能發(fā)電方式酞陽能發(fā)電有兩種方式，一種是光熱電轉(zhuǎn)換方式，另一種是光電直接轉(zhuǎn)換

方式。

（1） 光熱電轉(zhuǎn)換方式通過利用酞陽輻射產(chǎn)生的熱能發(fā)電，一般是由酞陽能集熱器將所吸收的熱

能轉(zhuǎn)

 酞陽能電池板 

換成工質(zhì)的蒸氣，再驅(qū)動(dòng)汽輪機(jī)發(fā)電。前一個(gè)過程是光熱轉(zhuǎn)換過程；后一個(gè)過程是熱電轉(zhuǎn)換過程

，與普通的火力發(fā)電一樣。酞陽能熱發(fā)電的缺點(diǎn)是效率很低而成本很高，估計(jì)它的投資至少要比普通

火電站貴510倍。一座1000MW的酞陽能熱電站需要投資2025億美元，平均1kW的投資為20002500

美元。因此，適用小規(guī)模特殊的場(chǎng)合，而大規(guī)模利用在經(jīng)濟(jì)上很不合算，還不能與普通的火電站或核

電站相競(jìng)爭。

 （2） 光電直接轉(zhuǎn)換方式該方式是利用光電效應(yīng)，將酞陽輻射能直接轉(zhuǎn)換成電能，光電轉(zhuǎn)換的

基本裝置就是酞陽能電池。酞陽能電池是一種由于光生伏 應(yīng)而將酞陽光能直接轉(zhuǎn)化為電能的器件

，是一個(gè)半導(dǎo)體光電二極管，當(dāng)酞陽光照到光電二極管上時(shí)，光電二極管就會(huì)把酞陽的光能變成電能

，產(chǎn)生電流。當(dāng)許多個(gè)電池串聯(lián)或并聯(lián)起來就可以成為有比較大的輸出功率的酞陽能電池方陣了。酞

陽能電池是一種大有前途的新型電源，具有*性、清潔性和靈活性三大優(yōu)點(diǎn).酞陽能電池壽命長，

只要酞陽存在，酞陽能電池就可以一次投資而長期使用；與火力發(fā)電、核能發(fā)電相比，酞陽能電池不

會(huì)引起環(huán)境污染；酞陽能電池可以大中小并舉，大到百萬千瓦的中型電站，小到只供一戶用的酞陽能

電池組，這是其它電源無法比擬的

UPS浮充充電時(shí)，請(qǐng)用充電電壓2.275V/單格（20時(shí)的設(shè)定值），進(jìn)行定電壓充電或0.002CA以下的

電流進(jìn)行定電流充電。溫度有0C以下或40C以上時(shí)，有必要對(duì)充電電壓進(jìn)行批改，以20C為起點(diǎn)每改變

一度，單格電壓改變-3mv。 

2、循環(huán)充電時(shí)，充電電壓以2.40-2.50V/單格（20時(shí)的設(shè)定值），進(jìn)行定電壓電壓充電。溫度

在5C以下或35以上進(jìn)行充電時(shí)，以20為起點(diǎn)，每改變一度充電電壓調(diào)整-4mv/單格。 

3、充電前期電流控制在0.25CA以下。 

4、充電量設(shè)為放電量的100-120，但環(huán)境溫度在5C以下時(shí)，設(shè)為120-130。 

5、溫度越低（5C以下）充電完畢時(shí)刻越長，溫度越高（35C以上）越容易發(fā)作過充電，所以格外

是在循環(huán)運(yùn)用時(shí)，在5C30C內(nèi)進(jìn)行充電較好。 

6、為防止過充電盡量裝置充電計(jì)時(shí)器，或主動(dòng)轉(zhuǎn)換成涓流式充電方法。 

7、充電時(shí)電池溫度要控制在-15C+40C的規(guī)模內(nèi)。 

二、關(guān)于放電 

放電時(shí)請(qǐng)將電池溫度控制在-15-+50的規(guī)模內(nèi)。 

接連放電電流請(qǐng)控制在3CA以下（H控制在6ＣA以下）。 

放電停止電壓依電流的巨細(xì)而改變，大體如下所述。注重放時(shí)，電壓不得低于下述電壓。