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IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)（二）

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級(jí)的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。

平板顯示技術(shù)性歸類

流行還是透過(guò)式，指光要透過(guò)filter膜層被觀眾們見(jiàn)到，那透過(guò)式里邊依據(jù)光源種類又分成自發(fā)亮和非自發(fā)亮，這一比較好了解，非自發(fā)亮便是自身沒(méi)有光，務(wù)必靠外部燈源來(lái)照亮，例如月兒點(diǎn)亮夜里的地球上。

文中所說(shuō)的LCD便是歸屬于非自發(fā)亮，她務(wù)必要借出led燈管發(fā)亮透過(guò)液晶顯示屏和濾光層(CF)才可以被觀眾們見(jiàn)到。而之前的CRT及其時(shí)下火爆的OLED及其LED光電技術(shù)都?xì)w屬于自發(fā)亮的種類。

LED芯片發(fā)展情況

據(jù)悉，我國(guó)目前LED行業(yè)核心技術(shù)尚未掌握，在大功率LED芯片方面表現(xiàn)尤為突出。國(guó)內(nèi)LED顯示屏企業(yè)在國(guó)際上的地位，處于產(chǎn)業(yè)鏈中下游階段。

從核心芯片來(lái)看，尤其是大功率LED芯片，大多仍依賴“進(jìn)口”。所以，這種狀況將直接影響到企業(yè)的定價(jià)能力，并嚴(yán)重制約企業(yè)的發(fā)展，陷入被動(dòng)。目前，我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)在發(fā)展過(guò)程中缺乏核心技術(shù)已是不爭(zhēng)的事實(shí)，歐美國(guó)家對(duì)LED產(chǎn)品專利進(jìn)行壟斷。

盡管近幾年我國(guó)LED顯示屏行業(yè)發(fā)展較快，但產(chǎn)品檔次普遍不高，技術(shù)水平同質(zhì)化現(xiàn)象嚴(yán)重，產(chǎn)品質(zhì)量偏低的問(wèn)題突出。我國(guó)LED顯示屏行業(yè)與國(guó)外同類企業(yè)相比，在規(guī)模上還有很大的差距。