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線性LED驅(qū)動(dòng)IC跟非線性LED驅(qū)動(dòng)IC的區(qū)別

壓降比較大或知者驅(qū)動(dòng)電流大的時(shí)候，線性的功耗大，效率低，開關(guān)的功耗小，。不過如果壓降不大或者電流小，線性驅(qū)動(dòng)的電流穩(wěn)定，道并且用的原件要遠(yuǎn)遠(yuǎn)少于開關(guān)的。

驅(qū)動(dòng)方法

利用電流值的調(diào)節(jié)方法

利用脈沖幅變調(diào)技術(shù)的調(diào)節(jié)方法

電流值的調(diào)節(jié)方法主要版是改變電流值調(diào)節(jié)的亮度，此處假設(shè) 時(shí)的光度為1倍，白光的光度與電流變化時(shí)的光度變成1.7倍， 時(shí)的光度變成3倍，雖然照度與電流值并權(quán)不是比例關(guān)系，不過紅光卻呈比例關(guān)系，主要原因是紅、綠、藍(lán)的晶片物性彼此相異所致。

igbt驅(qū)動(dòng)電路的簡介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

2020年，絕大多數(shù)公司剛開始合理布局第三代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料升級(jí)提升了第二代半導(dǎo)體材料的困擾，具備的發(fā)亮，更能突顯顯示器的顯示信息實(shí)際效果，因而在我國三安光電、兆馳股份等大型企業(yè)剛開始第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)流水線的合理布局。

而全國各地政府部門為吸引住公司落戶本地，也出現(xiàn)國家扶持政策幫扶第三代半導(dǎo)體材料的產(chǎn)品研發(fā)以生產(chǎn)制造，而這也有益于推動(dòng)在我國LED顯示驅(qū)動(dòng)集成ic的自主研發(fā)進(jìn)展。而在我國也是有色金屬強(qiáng)國，在上下游原產(chǎn)地料的供貨及其價(jià)錢有著較大優(yōu)勢，在現(xiàn)行政策的適用與大佬公司的推動(dòng)下，LED顯示驅(qū)動(dòng)集成ic國內(nèi)生產(chǎn)制造的將變成新趨勢，更有益于在我國LED顯示器公司解決外地人新產(chǎn)品的依靠，提高上下游供貨的可靠性。