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IGBT的驅動電路特點（二）

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

什么叫液晶顯示屏的電力學特點

電力學特點：液晶顯示屏分子結構為長細桿狀構造，增加軸方位有旋光性(Dipole)，也就是這個分子結構的一端帶正電荷一端帶負電荷，因此大家對這一液晶顯示屏分子結構加工作電壓能夠使它產生偏移。

如下圖試驗，2個平行面玻璃正中間添加液晶顯示屏，兩邊再加工作電壓，當【不用工作電壓】和【加工作電壓】時，液晶顯示屏分子結構會各自【躺】在玻璃上或【站】在玻璃上。

?什么叫存儲器

存儲器是半導體材料電子器件中必不可少的構成部分，基本上存有于全部的電子產品中。伴隨著互聯網大數據、云計算技術、物聯網技術、人工智能技術等產業(yè)鏈的發(fā)展趨勢，其在全部全產業(yè)鏈中飾演的人物角色愈來愈關鍵。

存儲器的類型許多，按主要用途可分主導存儲器和輔助存儲器。

前面一種又被稱為內存儲器（運行內存），能夠 與CPU立即互換數據信息，速度更快、容積小、價錢高。

后面一種為外存儲器（外存），指除運行內存及緩存文件之外的存儲集成ic。該類存儲集成ic一般關閉電源后依然能儲存數據信息，速度比較慢、容積大、價格便宜。

依照關閉電源后數據信息是不是遺失，可分成易失性存儲器和非易失性存儲器。

易失性存儲器普遍的有DRAM和SRAM。

非易失性存儲器普遍的是NAND閃存芯片和NOR閃存芯片。