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MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路（一）

MOSFET數(shù)字電路

數(shù)字科技的進(jìn)步，如微處理器運(yùn)算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動(dòng)力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動(dòng)元件中快的一種。MOSFET在數(shù)字信號(hào)處理上的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結(jié)構(gòu)好處是理論上不會(huì)有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動(dòng)作時(shí)才有電流通過。CMOS邏輯門基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉(zhuǎn)換的瞬間同一時(shí)間內(nèi)必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導(dǎo)通的狀態(tài)下，另一種必定是截止?fàn)顟B(tài)，這使得從電源端到接地端不會(huì)有直接導(dǎo)通的路徑，大量節(jié)省了電流或功率的消耗，也降低了集成電路的發(fā)熱量。

MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢(shì)是對(duì)直流（DC）信號(hào)而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會(huì)有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點(diǎn)，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手BJT相較之下更為省電，而且也更易于驅(qū)動(dòng)。在CMOS邏輯電路里，除了負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)芯片外負(fù)載（off-chip load）的驅(qū)動(dòng)器（driver）外，每一級(jí)的邏輯門都只要面對(duì)同樣是MOSFET的柵極，如此一來較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動(dòng)力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如常見的TTL）就沒有這些優(yōu)勢(shì)。MOSFET的柵極輸入電阻無限大對(duì)于電路設(shè)計(jì)工程師而言亦有其他優(yōu)點(diǎn)，例如較不需考慮邏輯門輸出端的負(fù)載效應(yīng)（loading effect）。

?存儲(chǔ)芯片特色化水平低

存儲(chǔ)芯片商品有別于絕大多數(shù)的消費(fèi)性商品，只是具備典型性的大宗商品現(xiàn)貨特性，差異化營(yíng)銷較小，不一樣公司生產(chǎn)制造的商品性能指標(biāo)基本一致，規(guī)范化程度高，因而特色化水平較差，客戶忠誠(chéng)度低。

大家以智能機(jī)為例子，客戶在購買智能機(jī)時(shí)基礎(chǔ)都是考慮到CPU的品牌和型號(hào)規(guī)格是高通芯片的還是聯(lián)發(fā)科的，但非常少有些人會(huì)考慮到顯示屏是LG的還是BOE的，而僅僅會(huì)考慮到顯示屏的尺寸和屏幕分辨率等主要參數(shù)。

這一點(diǎn)存儲(chǔ)芯片和控制面板是相近的，客戶一般總是考慮到存儲(chǔ)芯片的容積，是64G還是128G，而非常少會(huì)有些人考慮到存儲(chǔ)芯片是海力士產(chǎn)的還是飛利浦產(chǎn)的。因而，針對(duì)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，要是性能參數(shù)上做到規(guī)定，不一樣品牌的商品可替代率很高，這也為后入式者出示了彎道超越的很有可能?？刂泼姘孱I(lǐng)域中BOE的取得成功也證實(shí)了這一點(diǎn)。

據(jù)外外網(wǎng)了解，目前整個(gè)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈已經(jīng)開始出現(xiàn)堵塞趨勢(shì)，有消息稱，下游封測(cè)同樣也出現(xiàn)產(chǎn)能過剩，如面板驅(qū)動(dòng)IC廠敦泰已經(jīng)表態(tài)漲價(jià)，目前供應(yīng)鏈環(huán)節(jié)漲價(jià)幅度仍控制在1成以內(nèi)，但未來仍有可能漲價(jià)。電視機(jī)面板同樣因暴發(fā)而保持了增長(zhǎng)動(dòng)能，8英寸晶片代工產(chǎn)能供不應(yīng)求，包括聯(lián)詠在內(nèi)的供應(yīng)商均加大了面板驅(qū)動(dòng)IC的投片數(shù)量。