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上海菲茲電子科技有限公司
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店齡5年 · 企業(yè)認(rèn)證 · 上海市
上海菲茲電子科技有限公司
主營產(chǎn)品: 可控硅,整流橋,IGBT,二極管,熔斷器,電熔
钳钻钸钳钸钸钸钺钸钴钼
英飛凌IGBT模塊IGBT模塊-BSM50GAL120DN2-量多從優(yōu)
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聯(lián)系人 張嵐颯
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發(fā)貨地 上海市
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
系列 IGBT系列
封裝 標(biāo)準(zhǔn)封裝
批號(hào) new
可控硅類型 硅(si)
種類 化合物半導(dǎo)體
商品介紹
IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓,柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動(dòng)電路時(shí),必須基于以下的參數(shù)來進(jìn)行:器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因?yàn)镮GBT柵極- 發(fā)射極阻抗大,故可使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行觸發(fā),不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大,故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動(dòng)電路提供的偏壓更高。
IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET,但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時(shí)間,但關(guān)斷時(shí)間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3~4V,和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。
當(dāng)集電極被施加一個(gè)反向電壓時(shí), J1 就會(huì)受到反向偏壓控制,耗盡層則會(huì)向N-區(qū)擴(kuò)展。因過多地降低這個(gè)層面的厚度,將無法取得一個(gè)有效的阻斷能力,所以,這個(gè)機(jī)制十分重要。另一方面,如果過大地增加這個(gè)區(qū)域尺寸,就會(huì)連續(xù)地提高壓降。 第二點(diǎn)清楚地說明了NPT器件的壓降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的壓降高的原因。
IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET 的結(jié)構(gòu)十分相似,主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個(gè)N+ 緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒有增加這個(gè)部分)。如等效電路圖所示(圖1),其中一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)兩個(gè)雙極器件?;膽?yīng)用在管體的P+和 N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個(gè)J1結(jié)。 當(dāng)正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時(shí),一個(gè)N溝道形成,同時(shí)出現(xiàn)一個(gè)電子流,并完全按照功率 MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流。如果這個(gè)電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V范圍內(nèi),那么,J1將處于正向偏壓,一些空穴注入N-區(qū)內(nèi),并調(diào)整陰陽極之間的電阻率,這種方式降低了功率導(dǎo)通的總損耗,并啟動(dòng)了第二個(gè)電荷流。后的結(jié)果是,在半導(dǎo)體層次內(nèi)臨時(shí)出現(xiàn)兩種不同的電流拓?fù)洌阂粋€(gè)電子流(MOSFET 電流); 一個(gè)空穴電流(雙極)。
IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET,但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時(shí)間,但關(guān)斷時(shí)間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3~4V,和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。
當(dāng)集電極被施加一個(gè)反向電壓時(shí), J1 就會(huì)受到反向偏壓控制,耗盡層則會(huì)向N-區(qū)擴(kuò)展。因過多地降低這個(gè)層面的厚度,將無法取得一個(gè)有效的阻斷能力,所以,這個(gè)機(jī)制十分重要。另一方面,如果過大地增加這個(gè)區(qū)域尺寸,就會(huì)連續(xù)地提高壓降。 第二點(diǎn)清楚地說明了NPT器件的壓降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的壓降高的原因。
IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET 的結(jié)構(gòu)十分相似,主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個(gè)N+ 緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒有增加這個(gè)部分)。如等效電路圖所示(圖1),其中一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)兩個(gè)雙極器件?;膽?yīng)用在管體的P+和 N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個(gè)J1結(jié)。 當(dāng)正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時(shí),一個(gè)N溝道形成,同時(shí)出現(xiàn)一個(gè)電子流,并完全按照功率 MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流。如果這個(gè)電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V范圍內(nèi),那么,J1將處于正向偏壓,一些空穴注入N-區(qū)內(nèi),并調(diào)整陰陽極之間的電阻率,這種方式降低了功率導(dǎo)通的總損耗,并啟動(dòng)了第二個(gè)電荷流。后的結(jié)果是,在半導(dǎo)體層次內(nèi)臨時(shí)出現(xiàn)兩種不同的電流拓?fù)洌阂粋€(gè)電子流(MOSFET 電流); 一個(gè)空穴電流(雙極)。
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公司名稱 上海菲茲電子科技有限公司
聯(lián)系賣家 張嵐颯 (QQ:1539653456)
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網(wǎng)址 http://www.feizi-power.cn/
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