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MOSFET幾種典型驅(qū)動電路（一）

MOSFET數(shù)字電路

數(shù)字科技的進(jìn)步，如微處理器運算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動元件中快的一種。MOSFET在數(shù)字信號處理上的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結(jié)構(gòu)好處是理論上不會有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動作時才有電流通過。CMOS邏輯門基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉(zhuǎn)換的瞬間同一時間內(nèi)必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導(dǎo)通的狀態(tài)下，另一種必定是截止?fàn)顟B(tài)，這使得從電源端到接地端不會有直接導(dǎo)通的路徑，大量節(jié)省了電流或功率的消耗，也降低了集成電路的發(fā)熱量。

MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢是對直流（DC）信號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易于驅(qū)動。在CMOS邏輯電路里，除了負(fù)責(zé)驅(qū)動芯片外負(fù)載（off-chip load）的驅(qū)動器（driver）外，每一級的邏輯門都只要面對同樣是MOSFET的柵極，如此一來較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如常見的TTL）就沒有這些優(yōu)勢。MOSFET的柵極輸入電阻無限大對于電路設(shè)計工程師而言亦有其他優(yōu)點，例如較不需考慮邏輯門輸出端的負(fù)載效應(yīng)（loading effect）。

平板顯示技術(shù)性歸類

流行還是透過式，指光要透過filter膜層被觀眾們見到，那透過式里邊依據(jù)光源種類又分成自發(fā)亮和非自發(fā)亮，這一比較好了解，非自發(fā)亮便是自身沒有光，務(wù)必靠外部燈源來照亮，例如月兒點亮夜里的地球上。

文中所說的LCD便是歸屬于非自發(fā)亮，她務(wù)必要借出led燈管發(fā)亮透過液晶顯示屏和濾光層(CF)才可以被觀眾們見到。而之前的CRT及其時下火爆的OLED及其LED光電技術(shù)都?xì)w屬于自發(fā)亮的種類。

由于LED產(chǎn)業(yè)形勢轉(zhuǎn)好，大陸芯片廠商加大了擴(kuò)產(chǎn)力度。就當(dāng)前LED廠商外延片擴(kuò)張計劃而言，海外廠商擴(kuò)張的動力不足。在這些國家中，中國大陸廠商是擴(kuò)產(chǎn)的主力。在這種趨勢下，大陸企業(yè)正加速進(jìn)入LED外延片擴(kuò)產(chǎn)的新一輪浪潮，中國大陸也有望成為LED芯片“代工基地”。

而且，隨著大陸LED外延芯片的不斷擴(kuò)大，國產(chǎn)器件MOCVD也將迎來新一輪的增長浪潮。根據(jù)調(diào)查機構(gòu)的數(shù)據(jù)，2016年全球新增136個MOCVD裝置，現(xiàn)在有3102個。此外，國產(chǎn)MOCVD的市場份額在2016年合計僅為11%，但在經(jīng)過2016年客戶端驗證后，國產(chǎn)MOCVD將迎來新機，特別是大陸廠商的大力擴(kuò)張，必將有力的推動國產(chǎn)MOCVD的發(fā)展。