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上海菲茲電子科技有限公司
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店齡5年 · 企業(yè)認(rèn)證 · 上海市
上海菲茲電子科技有限公司
主營產(chǎn)品: 可控硅,整流橋,IGBT,二極管,熔斷器,電熔
専專将専将将将尋将尊尅
日本富士整流橋整流橋-現(xiàn)貨供應(yīng)
價(jià)格
訂貨量(個(gè))
¥256.00
≥1
店鋪主推品 熱銷潛力款
聯(lián)系人 張嵐颯
専專将専将将将尋将尊尅
發(fā)貨地 上海市
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
批號(hào) new
電壓 1600
封裝 標(biāo)準(zhǔn)封裝
應(yīng)用領(lǐng)域 電工電氣
材料 整流橋
應(yīng)用范圍 電源
整流元件 二極管(排)
是否跨境出口貨源 否
商品介紹
上海菲茲電子科技有限公司專業(yè)代理功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及配套器件,專業(yè)的IGBT以及配套驅(qū)動(dòng)專業(yè)網(wǎng)上供應(yīng)商,是功率半導(dǎo)體行業(yè)知名企業(yè)。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽(yù),在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)品牌形象,同時(shí)菲茲與多家電力電子行業(yè)和上市公司長期保持著穩(wěn)定互信的合作關(guān)系,也是眾多知名電子廠商(富士、三菱、英飛凌、富士通、西門康,艾塞斯,尼爾,ABB,西瑪,三社、宏微等)的優(yōu)質(zhì)誠信代理商和分銷商。通過多年的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),菲茲人積累了堅(jiān)實(shí)的功率半導(dǎo)體應(yīng)用知識(shí),為電力拖動(dòng)、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、變頻器、高頻感應(yīng)加熱、逆變電源、電力機(jī)車等行業(yè)提供完善的解決方案,為客戶提技術(shù)支持!
一般而言,對(duì)于損耗比較?。?lt;3.0W)的元器件都可以采用自然冷卻的方式來解決元器件的散熱問題。當(dāng)整流橋的損耗不大時(shí),可采用自然冷卻方式來處理。此時(shí),整流橋的散熱途徑主要有以下兩個(gè)方面:整流橋的殼體(包括前后兩個(gè)比較大的散熱面和上下與左右散熱面)和整流橋的四個(gè)引腳。通常情況下,整流橋的上下和左右的殼體表面積相對(duì)于前后面積都比較小,因此在分析時(shí)都不考慮通過這四個(gè)面(上下與左右表面)的散熱。
整流橋殼體正面表面的溫度分布。從上圖可以看出,整流橋殼體正面的溫度分布是極不均勻的,在熱源(二極管)的正上方其表面溫度達(dá)到109 ℃,然而在整流橋的中間位置,遠(yuǎn)離熱源處卻只有75 ℃,其表面的溫差可達(dá)到34℃左右。這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導(dǎo)熱性能較差的FR4(其導(dǎo)熱系數(shù)小于3.0W/m.℃),因此它對(duì)整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時(shí),這也驗(yàn)證了為什么我們?cè)诓捎谜鳂驓んw正表面溫度作為計(jì)算的殼溫時(shí),對(duì)測(cè)溫?zé)犭娕嘉恢玫姆胖貌煌?,得到的結(jié)果其離散性很差這一原因。圖8是整流橋內(nèi)部熱源中間截面的溫度分布。由該圖也可以進(jìn)一步說明,在整流橋內(nèi)部由于器封裝材料是導(dǎo)熱性能較差的FR4,所以其內(nèi)部的溫度分布極不均勻。我們以后在測(cè)量或分析整流橋或相關(guān)的其它功率元器件溫度分布時(shí),應(yīng)著重注意該現(xiàn)象,力圖避免該影響對(duì)測(cè)量或測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生的影響。
整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接,兩只的為半橋,四只的則稱全橋。外部采用絕緣塑料封裝而成,大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封,增強(qiáng)散熱性能。
整流橋作為一種功率元器件,非常廣泛。應(yīng)用于各種電源設(shè)備。
其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。
我司主營產(chǎn)品如下:
1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產(chǎn)品;
2、CDE、EACO、日立全系列電容產(chǎn)品;
3、富士、三菱、英飛凌、西門康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品;
4、建準(zhǔn)全系列風(fēng)機(jī);
5、CONCEPT及驅(qū)動(dòng)板;
6、富士通單片機(jī)及其它配套產(chǎn)品;
一般而言,對(duì)于損耗比較?。?lt;3.0W)的元器件都可以采用自然冷卻的方式來解決元器件的散熱問題。當(dāng)整流橋的損耗不大時(shí),可采用自然冷卻方式來處理。此時(shí),整流橋的散熱途徑主要有以下兩個(gè)方面:整流橋的殼體(包括前后兩個(gè)比較大的散熱面和上下與左右散熱面)和整流橋的四個(gè)引腳。通常情況下,整流橋的上下和左右的殼體表面積相對(duì)于前后面積都比較小,因此在分析時(shí)都不考慮通過這四個(gè)面(上下與左右表面)的散熱。
整流橋殼體正面表面的溫度分布。從上圖可以看出,整流橋殼體正面的溫度分布是極不均勻的,在熱源(二極管)的正上方其表面溫度達(dá)到109 ℃,然而在整流橋的中間位置,遠(yuǎn)離熱源處卻只有75 ℃,其表面的溫差可達(dá)到34℃左右。這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導(dǎo)熱性能較差的FR4(其導(dǎo)熱系數(shù)小于3.0W/m.℃),因此它對(duì)整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時(shí),這也驗(yàn)證了為什么我們?cè)诓捎谜鳂驓んw正表面溫度作為計(jì)算的殼溫時(shí),對(duì)測(cè)溫?zé)犭娕嘉恢玫姆胖貌煌?,得到的結(jié)果其離散性很差這一原因。圖8是整流橋內(nèi)部熱源中間截面的溫度分布。由該圖也可以進(jìn)一步說明,在整流橋內(nèi)部由于器封裝材料是導(dǎo)熱性能較差的FR4,所以其內(nèi)部的溫度分布極不均勻。我們以后在測(cè)量或分析整流橋或相關(guān)的其它功率元器件溫度分布時(shí),應(yīng)著重注意該現(xiàn)象,力圖避免該影響對(duì)測(cè)量或測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生的影響。
整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接,兩只的為半橋,四只的則稱全橋。外部采用絕緣塑料封裝而成,大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封,增強(qiáng)散熱性能。
整流橋作為一種功率元器件,非常廣泛。應(yīng)用于各種電源設(shè)備。
其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。
我司主營產(chǎn)品如下:
1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產(chǎn)品;
2、CDE、EACO、日立全系列電容產(chǎn)品;
3、富士、三菱、英飛凌、西門康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品;
4、建準(zhǔn)全系列風(fēng)機(jī);
5、CONCEPT及驅(qū)動(dòng)板;
6、富士通單片機(jī)及其它配套產(chǎn)品;
聯(lián)系方式
公司名稱 上海菲茲電子科技有限公司
聯(lián)系賣家 張嵐颯 (QQ:1539653456)
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