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氮化硅磚采用硅粉氮化后燒結(jié)或熱壓方法制取

制取方式氮化硅磚選用硅粉滲氮后煅燒或壓合方式制取。燒造氮化硅磚的生產(chǎn)工藝流程與鎂質(zhì)磚大致差不多。以便清除磚在燒制全過程中因為MgO和Cr2O3、Al2O3或立即融合氮化硅磚。優(yōu)勢氮化硅磚耐火性高，高溫抗壓強(qiáng)度大，抗偏堿渣腐蝕性強(qiáng)，耐熱性，對酸性渣也是有一定的適應(yīng)能力。運(yùn)用用以航空公司、冶金、機(jī)械設(shè)備、半導(dǎo)體等工業(yè)生產(chǎn)中生產(chǎn)制造耐高溫軸承、冶金鉗鍋、半導(dǎo)體地區(qū)冶煉舟器等。

常壓燒結(jié)法(PLS)在提高燒結(jié)氮?dú)夥諌毫Ψ矫?利用Si3N4

常壓燒結(jié)法（ PLS)

在提高燒結(jié)氮?dú)夥諌毫Ψ矫妫肧i3N4 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質(zhì)，在1700———1800℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)行常壓燒結(jié)后，再在1800———2000℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)壓燒結(jié)。該法目的在于采用氣壓能促進(jìn)Si3N4 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強(qiáng)度.所得產(chǎn)品的性能比熱壓燒結(jié)略低。這種方法的缺點(diǎn)與熱壓燒結(jié)相似。

如果要在半導(dǎo)體基材上沉積氮化硅，有兩種方法可供使用：

利用低壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)在相對較高的溫度下利用垂直或水平管式爐進(jìn)行。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)在溫度相對較低的真空條件下進(jìn)行。

氮化硅的晶胞參數(shù)與單質(zhì)硅不同。因此根據(jù)沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會有產(chǎn)生張力或應(yīng)力。特別是當(dāng)使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)時，能通過調(diào)節(jié)沉積參數(shù)來減少張力。

先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅，然后同時利用碳熱還原法和氮化對其中包含特細(xì)碳粒子的硅膠進(jìn)行處理后得到氮化硅納米線。硅膠中的特細(xì)碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解產(chǎn)生的。