一般信息

數(shù)據(jù)列表       IRF(R,U)024NPbF;

標(biāo)準(zhǔn)包裝      2,000

包裝      標(biāo)準(zhǔn)卷帶 

零件狀態(tài)       有源

類別       分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

產(chǎn)品族    晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

系列       HEXFET?

其它名稱       IRFR024NPBFTR

SP001552090

 

規(guī)格

FET 類型       N 通道

技術(shù)       MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）       55V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)    17A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）      10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）  4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）    20nC @ 10V

Vgs（最大值）     ±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）  370pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    45W（Tc）

工作溫度       -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型       表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝    D-Pak