北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營：光刻膠

光刻膠國內(nèi)研發(fā)現(xiàn)狀

“造成與國際水平差距的原因很多。過去由于我國在開始規(guī)劃發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)上，布局不合理、不完整，特別是生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)的投資，而忽視了重要的基礎(chǔ)材料、裝備與應(yīng)用研究。目前，整個產(chǎn)業(yè)是中間加工環(huán)節(jié)強，前后兩端弱，核心技術(shù)至今被TOK、JSR、住友化學(xué)、信越化學(xué)等日本企業(yè)所壟斷。

光刻膠的主要技術(shù)指標有解析度、顯影時間、異物數(shù)量、附著力、阻抗等。每一項技術(shù)指標都很重要，必須全部指標達到才能使用。因此，國外企業(yè)在配方、生產(chǎn)工藝技術(shù)等方面，對中國長期保密。中國的研發(fā)技術(shù)有待進一步發(fā)展

NR9-3000PY光刻膠

五、曝光

在這一步中，將使用特定波長的光對覆蓋襯底的光刻膠進行選擇性地照射。光刻膠中的感光劑會發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，從而使正光刻膠被照射區(qū)域（感光區(qū)域）、負光刻膠未被照射的區(qū)域（非感光區(qū)）化學(xué)成分發(fā)生變化。這些化學(xué)成分發(fā)生變化的區(qū)域，在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。

在接受光照后，正性光刻膠中的感光劑DQ會發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，變?yōu)橐蚁┩⑦M一步水解為茚并羧酸（Indene-Carboxylic-Acid, CA），羧酸在堿性溶劑中的溶解度比未感光部分的光刻膠高出約100倍，產(chǎn)生的羧酸同時還會促進酚醛樹脂的溶解。利用感光與未感光光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度，就可以進行掩膜圖形的轉(zhuǎn)移。

曝光方法：

a、接觸式曝光（Contact Printing）掩膜板直接與光刻膠層接觸。

b、接近式曝光（Proximity Printing）掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm。

c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現(xiàn)曝光。

d、步進式曝光(Stepper)

NR77-20000PY光刻膠

光刻膠存儲條件及操作防護

光刻膠是一種可燃液體，儲存條件應(yīng)符合對應(yīng)的法規(guī)，不要與強氧化劑混合，存放在通風良好的地方，保持容器密閉，避免吸入蒸汽或霧氣，避免接觸眼睛、皮膚或衣服，操作后徹底清洗。

個人防護

眼睛：佩戴化學(xué)飛濺護目鏡。

皮膚：戴上適當?shù)姆雷o手套防止皮膚暴露。

服裝：穿戴合適的防護服防止皮膚暴露。

呼吸器：無論何時在工作環(huán)境下呼吸保護必須遵循中國職業(yè)安全健康管理局標準的規(guī)定和ANSI美國國家標準學(xué)會Z88.2的相關(guān)要求，或必須執(zhí)行歐洲呼吸防護EN 149的標準。