瑞泰威 達(dá)林頓晶體管陣列驅(qū)動(dòng)芯片批發(fā) LED驅(qū)動(dòng)芯片品牌
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MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路(一)


MOSFET數(shù)字電路

數(shù)字科技的進(jìn)步,如微處理器運(yùn)算效能不斷提升,帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動(dòng)力,這也使得MOSFET本身的操作速度越來(lái)越快,幾乎成為各種半導(dǎo)體主動(dòng)元件中快的一種。MOSFET在數(shù)字信號(hào)處理上的成功來(lái)自CMOS邏輯電路的發(fā)明,這種結(jié)構(gòu)好處是理論上不會(huì)有靜態(tài)的功率損耗,只有在邏輯門(logic gate)的切換動(dòng)作時(shí)才有電流通過(guò)。CMOS邏輯門基本的成員是CMOS反相器(inverter),而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣,在邏輯轉(zhuǎn)換的瞬間同一時(shí)間內(nèi)必定只有一種晶體管(NMOS或是PMOS)處在導(dǎo)通的狀態(tài)下,另一種必定是截止?fàn)顟B(tài),這使得從電源端到接地端不會(huì)有直接導(dǎo)通的路徑,大量節(jié)省了電流或功率的消耗,也降低了集成電路的發(fā)熱量。





MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢(shì)是對(duì)直流(DC)信號(hào)而言,MOSFET的柵極端阻抗為無(wú)限大(等效于開路),也就是理論上不會(huì)有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點(diǎn),而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手BJT相較之下更為省電,而且也更易于驅(qū)動(dòng)。在CMOS邏輯電路里,除了負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)芯片外負(fù)載(off-chip load)的驅(qū)動(dòng)器(driver)外,每一級(jí)的邏輯門都只要面對(duì)同樣是MOSFET的柵極,如此一來(lái)較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動(dòng)力。相較之下,BJT的邏輯電路(例如常見(jiàn)的TTL)就沒(méi)有這些優(yōu)勢(shì)。MOSFET的柵極輸入電阻無(wú)限大對(duì)于電路設(shè)計(jì)工程師而言亦有其他優(yōu)點(diǎn),例如較不需考慮邏輯門輸出端的負(fù)載效應(yīng)(loading effect)。



?什么是LED芯片?

發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器是指驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管發(fā)光二極管或發(fā)光二極管組件正常工作的電子器件。



因?yàn)長(zhǎng)EDPN結(jié)的導(dǎo)通特性決定了其適合的電源電壓和電流變化范圍很小,稍有偏差就可能不能點(diǎn)亮LED,發(fā)光效率嚴(yán)重下降,或縮短使用壽命甚至燒毀芯片。發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器就是這樣一個(gè)電子組件,能驅(qū)動(dòng)LED在電壓或電流狀態(tài)下工作。


由于LED是敏感特性的半導(dǎo)體器件,又具有負(fù)溫特性,所以LED驅(qū)動(dòng)電源(也稱為驅(qū)動(dòng)器)是在應(yīng)用過(guò)程中保護(hù)它穩(wěn)定工作狀態(tài)的。


1、驅(qū)動(dòng)芯片的封裝應(yīng)該有利于驅(qū)動(dòng)芯片管芯的快速散熱,例如直接將裸片固定在銅片上,并且有一針直接延伸到封裝外部,以便于直接在PCB板的銅箔上直接導(dǎo)熱。當(dāng)電流達(dá)到300~1,000mA時(shí),類似于4X4mm的芯片一定會(huì)產(chǎn)生功率損耗和發(fā)熱,因此,芯片本身的物理散熱結(jié)構(gòu)也很重要。


2、驅(qū)動(dòng)芯片抗EMI、噪音和高壓的性能也與整個(gè)LED燈具產(chǎn)品能否順利通過(guò)CE、UL等認(rèn)證有關(guān),因此在驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)中要選擇先進(jìn)的拓樸結(jié)構(gòu)和高壓生產(chǎn)工藝。

3、驅(qū)動(dòng)芯片本身的功耗要求小于0.5W,開關(guān)工作頻率要求大于120Hz,以免工頻干擾引起可見(jiàn)閃爍。

總之,無(wú)論是筒燈還是照明燈具都離不開驅(qū)動(dòng)芯片。


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