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東科-DK5V100R10M-封裝SM-10-輸入電壓85-265VAC
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二、同步整流的基本原則二極管to同步整流1.二極管改為同步整流拓?fù)湟螹OS體二極管方向和原拓?fù)湎嗤?.在改動時候應(yīng)該注意到驅(qū)動的容易程度,如下圖。容易的驅(qū)動方法應(yīng)該講整流管(forward)改為下面以便共地方便驅(qū)動。適用場合■常規(guī)來講低壓大電流同步整流非常適合,如1.2V,3.3V,5V等,效率可以得到明顯的提升?!龅漠a(chǎn)品設(shè)計表明,即使在12V,28V,甚至55V輸出電壓下,如果功率較高(>50W),即使MOS體二極管反向恢復(fù)差于快速二極管,在良好設(shè)計的情況下,同步整流依然可以提升效率?!鰝鹘y(tǒng)的同步整流方案基本上都是PWM型同步整流,主開關(guān)與同步整流開關(guān)的驅(qū)動信號之間必須設(shè)置一定的死區(qū)時間,以避免交叉導(dǎo)通
DK5V100R25CDK5V100R10M
同步整流的關(guān)斷損耗關(guān)于開關(guān)損耗,值得指出的是很多同步整流開通是零電壓開通的,而關(guān)斷損耗占據(jù)了主導(dǎo)。下圖是關(guān)于關(guān)斷損耗的一個圖,分別包含了Qoss損耗(容性損耗),開關(guān)損耗和反向恢復(fù)損耗。如何減少同步整流的反向恢復(fù)損耗反向恢復(fù)損耗,在高壓MOS上,占據(jù)非常大的比例,消除反向恢復(fù)損耗的常見方法如下:1)盡量減小死區(qū)時間,如下圖所示,二極管的反向時間決定了Qrr,減小體二極管工作的時間,這不光減小了反向恢復(fù)損耗,也同時減小了二極管的死區(qū)導(dǎo)通損耗2)采用內(nèi)部并聯(lián)肖特基二極管的MOS.同步整流的關(guān)機(jī)同步整流驅(qū)動關(guān)機(jī),經(jīng)常會遇到的問題是關(guān)機(jī)波形不單調(diào),有負(fù)電流折向原邊
DK5V45R20SDK5V100R10M
能帶導(dǎo)體,咱能理解,絕緣體,咱也能理解,不好理解的,怕是半導(dǎo)體了原子組成物質(zhì)時,會有很多電子混到一起,但2個相同電子沒法待在一個軌道上,于是,很多軌道就分裂成了好幾個軌道,這么多軌道擠在一起,不小心挨得近了,就變成了寬寬的大軌道。在量子力學(xué)里,這種細(xì)軌道叫能級,擠在一起變成的寬軌道就叫能帶有些寬軌道擠滿了電子,電子不能移動,宏觀上表現(xiàn)為不能導(dǎo)電有些寬軌道空間很空曠,電子自由移動,宏觀上表現(xiàn)為導(dǎo)電有些滿軌道和空軌道挨的太近,電子可以毫不費(fèi)力從滿軌道跑到空軌道上,于是就能自由移動,這就是導(dǎo)體如果兩條寬軌道之間有空隙,電子單靠自己跨不過去,表現(xiàn)為不導(dǎo)電如果空隙的寬度在5ev之內(nèi),給電子加個額外能量,也能跨到空軌道上,跨過去就能自由移動,表現(xiàn)為導(dǎo)電。這種空隙寬度不超過5ev的固體,有時導(dǎo)電、有時不導(dǎo)電,所以叫半導(dǎo)體