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LED電源驅(qū)動IC燒掉是什么原因引起的

LED電源驅(qū)動IC燒掉的原因有電器元件IC本身有問題，也可能是電流電壓過高。

LED需要的電流和電壓的穩(wěn)定組件，在工作時，應(yīng)當具有高的分壓電壓和低功耗的，否則，的LED會降低整個系統(tǒng)的效率，因為工作消耗高，矛盾的原則，節(jié)能和。因此，主電流限制電路，應(yīng)使用的電路，如電容，電感或與電源開關(guān)電路，因為它有可能代替電阻或串聯(lián)穩(wěn)壓電路的LED系統(tǒng)，以確保。系列恒功率輸出電路，可以在廣泛的電源LED的光輸出保持不變，但會失去一些正常的IC電路效率。通過與電源開關(guān)電路是能保證恒定的功率輸出下具有高的轉(zhuǎn)印效率的電源供應(yīng)器的戲劇性的電壓變化。

IGBT的驅(qū)動電路特點（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

驅(qū)動芯片的額定輸出電流的額定值為1.2~1.5A。在LED光源用于照明時，1W功率LED光源的工作電流標稱為350mA,3W功率LED光源的工作電流標稱為700mA。大功率LED光源對電流的要求較高，所以選擇LED照明燈具的驅(qū)動IC必須具有足夠的電流輸出，設(shè)計產(chǎn)品時還必須使驅(qū)動IC工作在70~90%的好的工況下工作。在狹小空間內(nèi)，采用全負荷輸出電流驅(qū)動IC散熱不良，易造成燈具疲勞和早期失效。