深圳市瑞泰威科技有限公司主營：各類驅(qū)動IC,存儲IC,傳感器IC,觸摸IC銷售,
對IGBT驅(qū)動電路有什么要求

IGBT對驅(qū)動電路的要求：

(1)提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降,但若UGE過大,則負(fù)載短路時其IC隨UGE增大而增大,對其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時浪涌電流過大而使IGBT誤導(dǎo)通,一般選UGE=-5V為宜。

(2)IGBT的開關(guān)時間應(yīng)綜合考慮?？焖匍_通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下,IGBT的開頻率不宜過大,因為高速開斷和關(guān)斷會產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。

(3)IGBT開通后,驅(qū)動電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。

(4)IGBT驅(qū)動電路中的電阻RG對工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會增加IGBT的開關(guān)時間和開關(guān)損耗;RG較小,會引起電流上升率增大,使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐～幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。

(5)驅(qū)動電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對IG2BT的保護(hù)功能。IGBT的控制、 驅(qū)動及保護(hù)電路等應(yīng)與其高速開關(guān)特性相匹配,另外,在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開路。

用什么直流電機(jī)驅(qū)動芯片（二）

2 ML4428原理圖及功能實現(xiàn)

ML4428電機(jī)控制器不用霍爾傳感器就可為Y形無刷直流電機(jī)(BLDC)提供起動和調(diào)速所需的各種功能。它采用28腳雙列表面SOIC封裝，它的內(nèi)部框圖如圖1所示〔1〕，ML4428使用鎖相環(huán)技術(shù)，從電機(jī)線圈檢測反電勢，確定換向次序；采用專門的反電勢檢測技術(shù)，可實現(xiàn)三相無刷直流換向且不受PWM噪聲及電機(jī)緩沖電路的影響；采用了檢查轉(zhuǎn)子位置并準(zhǔn)確對電機(jī)加速的起動技術(shù)，確保起動時電機(jī)不會反轉(zhuǎn)并可縮短起動時間。

2.1 反電勢檢測信號的獲得

無位置傳感器無刷直流電動機(jī)的控制與有位置傳感器無刷直流電機(jī)控制的根本區(qū)別就是利用反電勢的波形尋找換向點。當(dāng)永磁無刷直流電動機(jī)運轉(zhuǎn)時，各相繞組的反電動勢(EMF)與轉(zhuǎn)子位置密切相關(guān)。由于各相繞組是交替導(dǎo)通工作的，在某相不導(dǎo)通的時刻，其反電動勢波形的某些特殊點，可代替轉(zhuǎn)子位置傳感器的功能，得到所需要的信息。

由于對于單相反電動勢波形圖，反電動勢過零點30°處對應(yīng)繞組的換向信號，找出反電動勢過零點，即反電動勢檢測的任務(wù)〔2〕?；谶@一原理，在該芯片內(nèi)設(shè)計了一個獨特的反電勢檢測電路(見圖2)，由于有了中點模擬電路，不需從電機(jī)三相繞組中引出中線

商品一體化也可能變成LED顯示器驅(qū)動器IC的關(guān)鍵發(fā)展趨向,伴隨著LED顯示器清晰度間隔的快速降低,企業(yè)總面積上應(yīng)貼片的封裝元器件以幾何倍數(shù)提高,大大增加摸組驅(qū)動器面的電子器件相對密度。

這般擁堵電子器件的排序,非常容易導(dǎo)致電焊焊接欠佳等難題,也減少了摸組的可信性。驅(qū)動器IC越來越少的使用量,PCB更大的走線總面積,來源于運用端要求讓驅(qū)動器IC務(wù)必踏入了高集成化的關(guān)鍵技術(shù)。