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MOSFET為什么要驅(qū)動(dòng)電路

現(xiàn)在市面上實(shí)際應(yīng)用的多是平面工藝的MOSFET，在開關(guān)電源等領(lǐng)域應(yīng)用非常普遍，一般作為百開關(guān)管使用。實(shí)際的MOSFET有別于理想的MOSFET，柵極和源度極，源極和漏極都是存在電容的，要用合適的驅(qū)動(dòng)電路才能使MOS管工作在低導(dǎo)通損耗的開關(guān)狀態(tài)。比如600V的MOS管多用8-12V的柵極電壓驅(qū)動(dòng)，并且要求一定的驅(qū)動(dòng)能力。

也可以內(nèi)用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全導(dǎo)通狀態(tài)，上升和下降時(shí)間在輻射容滿足要求的情況下，盡量的陡峭。

對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路有什么要求

IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求：

(1)提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降,但若UGE過(guò)大,則負(fù)載短路時(shí)其IC隨UGE增大而增大,對(duì)其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過(guò)大而使IGBT誤導(dǎo)通,一般選UGE=-5V為宜。

(2)IGBT的開關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮?？焖匍_通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下,IGBT的開頻率不宜過(guò)大,因?yàn)楦咚匍_斷和關(guān)斷會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。

(3)IGBT開通后,驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過(guò)載情況下不致退出飽和而損壞。

(4)IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對(duì)工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會(huì)增加IGBT的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗;RG較小,會(huì)引起電流上升率增大,使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐～幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。

(5)驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對(duì)IG2BT的保護(hù)功能。IGBT的控制、 驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路等應(yīng)與其高速開關(guān)特性相匹配,另外,在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開路。

DDR做為運(yùn)用普遍的動(dòng)態(tài)性隨機(jī)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器，被運(yùn)用于無(wú)線路由器、光纖貓等機(jī)器設(shè)備中，DDR容許在脈沖發(fā)生器的上升沿和降低沿讀出數(shù)據(jù)，因此其速率是規(guī)范SDRAM的二倍。

以瑞泰威發(fā)布的高質(zhì)量DDR為例子，容積為64Mb*16/128Mb*16/255Mb*16/512Mb*16等，

封裝規(guī)格BGA96Ball8*14mm/7.5*13.5毫米等，操作溫度0°C~85°C，工作標(biāo)準(zhǔn)電壓1.9V/1.35V，有著優(yōu)異的速率傳送數(shù)據(jù)，能夠 迅速、輕輕松松地解決很多工作中負(fù)荷，在更迅速與更節(jié)電的另外亦可以增強(qiáng)信號(hào)的一致性、改進(jìn)材料傳送及存儲(chǔ)的可信性。