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IGBT的驅(qū)動電路特點（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

直流電機驅(qū)動芯片應(yīng)該怎么選擇？

目前用的的一個H橋驅(qū)動芯片zd：L928N，這個芯片是很簡單，很便宜，而且很容易買到，一個芯片里面就集成了2路的H橋電路，還帶PWM控制和電流采集。電機驅(qū)動芯片是集成有CMOS 控制電路和DMOS 功率器件的芯片，利用它可以與主處理回器、電機和增量型編碼器構(gòu)成一個答完整的運動控制系統(tǒng)?？梢杂脕眚?qū)動直流電機、步進電機和繼電器等感性負(fù)載。

深圳市瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號。與國內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。自公司成立以來，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費類IC等行業(yè)。

集成驅(qū)動Ic

集成驅(qū)動 IC 在 15 mA 電流下的壓降僅 105 mV，效能業(yè)界前頭，為照明應(yīng)用提供了更多的設(shè)計彈性。如此可提升整體效率，并提供所需的電壓余度，補償供應(yīng)電壓之中的 LED正向電壓偏差及變動。BCR431U 能讓照明設(shè)計增加更多 LED，例如用同一個 IC 驅(qū)動七個串聯(lián) LED，而不只是六個LED；或者，也能用來增加 LED 燈條設(shè)計的整體長度，例如從 5米增加到 7 米。整體而言，LED 燈條越長，代表接電點越少，以及更少的安裝工作。

瑞泰威驅(qū)動IC廠家，是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號