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“無廠半導(dǎo)體公司－晶圓代工模式”的概念是由Xilinx的伯尼·馮德施密特（BernieV.Vonderschmitt）和C&T的戈登·A.坎貝爾（GordonA.Campbell）所提出。好處很明顯了，負(fù)擔(dān)很輕，自己只管設(shè)計(jì)就行了，不用耗費(fèi)巨資去興建晶圓廠、開發(fā)新工藝，但壞處同樣很突出：你設(shè)計(jì)出來了，能否造出來、即便造出來又是個(gè)什么樣子你就無法做主了，得看代工伙伴的能耐。這方面的教訓(xùn)當(dāng)然很多：臺(tái)積電40/28nm兩代工藝都很不成熟，產(chǎn)能也是遲遲上不來，讓整個(gè)行業(yè)為之拖累。GlobalFoundries32nm工藝沒有達(dá)到AMD的預(yù)期水平，代FX/APU處理器的頻率和電壓就跟設(shè)計(jì)得差很多，28nm工藝吹了那么久直到現(xiàn)在才剛剛上路，迫使AMD一度放棄了整整一代的低功耗APU，不得不重新設(shè)計(jì)再去找臺(tái)積電。
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光照能使共價(jià)電子獲得能量，脫離晶格原子的束縛，變成可以自由移動(dòng)的電子和空穴。而電子和空穴都是構(gòu)成電流的成分，因此光照可以使PN結(jié)產(chǎn)生電流。PN結(jié)光生電的特性使它能夠制備成雪崩二極管、PIN二極管，這些器件廣泛應(yīng)用于光探測(cè)器、太陽能電池等領(lǐng)域電生光：反之，若在PN結(jié)兩端加以正向電壓，半導(dǎo)體中的電子和空穴就會(huì)在結(jié)處相遇之后消失（復(fù)合），并產(chǎn)生一束光子，前提是制造PN結(jié)的材料為直接帶隙半導(dǎo)體。PN結(jié)電生光的特性使它能制作成發(fā)光二極管（LED）、激光二極管（LD）等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體照明、光通訊中的光源、3DSensing等領(lǐng)域直接帶隙半導(dǎo)體，是指這種材料中的電子和空穴復(fù)合時(shí)遵循動(dòng)量守恒
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第二個(gè)時(shí)PN結(jié)的伏安特性：式中，Is在數(shù)值上等于反向飽和電流，Vt=KT/q，為溫度當(dāng)量，在常溫下，Vt約等于26毫伏。的PN結(jié)的例子是二極管，二極管就是由PN結(jié)加上電極引線和外殼組成的。我們接著了解二極管的伏安特性。二極管的伏安特性和PN結(jié)的伏安特性基本相同，特點(diǎn)是1，正向特性，當(dāng)正向電壓大于開啟電壓后，隨著正向電壓的增加，正向電流近似按指數(shù)規(guī)律增大，正向電阻很小，二極管可以看做是導(dǎo)通的，在伏安特性的這部分，電流在快速增大時(shí)，二極管的正向壓降變化很小。