強(qiáng)元芯電子（廣東）有限公司主營(yíng)：整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復(fù)二極管

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整流橋 DB207S的芯片尺寸參數(shù)詳解？

ASEMI品牌貼片整流橋DB207S性能穩(wěn)定，性?xún)r(jià)比高，它性能主要源于內(nèi)部核心采用的臺(tái)灣進(jìn)口GPP芯片，該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力，能夠持續(xù)長(zhǎng)時(shí)間工作不發(fā)熱。輔以50MIL大規(guī)格尺寸的芯片，能夠保證DB207S的輸出電流和反向耐壓持續(xù)穩(wěn)定；同時(shí)ASEMI采用先進(jìn)的臺(tái)灣健鼎與冠魁檢測(cè)DB207S的內(nèi)部4顆芯片的離散型，提高4顆芯片的一致性和高可靠性，能夠持續(xù)長(zhǎng)時(shí)間工作不發(fā)發(fā)熱，保證DB207S在投入使用中的穩(wěn)定性能。

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ASEMI貼片整流橋主要的參數(shù)特性介紹之——零偏壓電容

零偏差電容指的是整流橋兩端電壓為零時(shí)，擴(kuò)散電容及結(jié)電容的容量之和。值得注意的，由于制造工藝的限制，即使同一型號(hào)的整流橋其參數(shù)的離散性也很大。手冊(cè)中給出的參數(shù)往往是一個(gè)范圍，若測(cè)試條件改變，則相應(yīng)的參數(shù)也會(huì)發(fā)生變化，例如在25°C時(shí)測(cè)得1N5200系列硅塑封整流整流橋的IR小于1OuA，而在100°C時(shí)IR則變?yōu)樾?00uA

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根據(jù)貼片橋堆的內(nèi)部電路，可用萬(wàn)用表方便地進(jìn)行判別。首先將萬(wàn)用表置于10kΩ檔，測(cè)量一下貼片整流橋堆的交流電源輸入端正、反向電阻，其阻值正常時(shí)應(yīng)都為無(wú)窮大。當(dāng)4只整流貼片二極管中有一只擊穿或漏電時(shí)，都會(huì)導(dǎo)致其阻值變小。測(cè)完交流電源輸入端電阻后，還應(yīng)測(cè)量“+”與“一”之間的正、反向電阻，正常時(shí)其正向電阻一般在8～10kΩ之間，反向電阻應(yīng)為無(wú)窮大。