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IGBT的驅(qū)動電路特點(diǎn)（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

半橋全橋驅(qū)動電路的作用是什么？

半橋全橋復(fù)的驅(qū)動電路是使功率管產(chǎn)生交流制電的觸發(fā)信號，并不是將交流信號變直流信號。百即使單片度機(jī)可以輸出直流信號，但是它問的驅(qū)動能力也是有限的，所以單片機(jī)一般做驅(qū)動答信號，驅(qū)動大的功率管，來產(chǎn)生大電流從而才能驅(qū)動電機(jī)。

瑞泰威主營業(yè)務(wù)為:驅(qū)動IC、存儲IC、觸摸IC等電子元器件產(chǎn)品，產(chǎn)品型號齊全，能夠滿足您不同性能需求的電子元器件產(chǎn)品。生產(chǎn)之后，經(jīng)過嚴(yán)密測試分析流程才出貨，保持和提高產(chǎn)品可靠性，月出貨量100萬PCS。

存儲芯片內(nèi)地發(fā)展的影響

價錢：減價或成大勢所趨

獲益于中下游智能機(jī)、AI、大數(shù)據(jù)中心、轎車、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等多極運(yùn)用的驅(qū)動器，存儲芯片銷售市場有希望持續(xù)保持高提高。美光預(yù)估17年至二零二一年，DRAM要求復(fù)合型增長率將達(dá)20%，NAND位要求復(fù)合型增長率將達(dá)40-45%。

存儲芯片的價格上漲由需求量很高剛開始，是不是不斷還得看供求。要求是遲緩提高，而提供會忽然提升，伴隨著國際性大型廠生產(chǎn)能力釋放出來及其內(nèi)地儲存新項(xiàng)目有序推進(jìn)，存儲芯片價格波動或成大勢所趨。