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就是我們說(shuō)的集成電路和芯片。這里面有大量的集成電路的基本元件，叫晶體管，可能有幾十億支甚至上百億支。晶體管的原理非常簡(jiǎn)單，但是真正要把這樣的晶體管發(fā)明出來(lái)，人類還是經(jīng)過(guò)了非常長(zhǎng)時(shí)間的探索。我們知道，世界上臺(tái)電子計(jì)算機(jī)是1945年在美國(guó)的賓夕法尼亞大學(xué)發(fā)明的，我們用的是所謂的電子管，大概直徑在兩公分左右，高度有個(gè)五、六公分，通上電以后它會(huì)發(fā)亮，像個(gè)燈泡似的。這樣的電子計(jì)算機(jī)用了17500支電子管，很多，但這個(gè)電子管的可靠性非常差，六分多鐘就燒壞一支，一旦燒壞了怎么辦呢？就得去換。
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由于少數(shù)載流子為數(shù)很少，故反向電流是很微弱的，電阻很大一個(gè)PN結(jié)就可以形成半導(dǎo)體器件中的二極管（Diode），它同時(shí)也是構(gòu)筑三極管（BJT）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）等其他眾多半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)4.光電特性光生電：在PN結(jié)處沒(méi)有可以自由移動(dòng)的電子和空穴，但是晶格原子外層有許多被束縛的共價(jià)電子。DK5V120R15ST1
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本征半導(dǎo)體：指不含任何摻雜元素的半導(dǎo)體，如純硅晶片或純鍺晶片。P型半導(dǎo)體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價(jià)雜質(zhì)的半導(dǎo)體，如在本征半導(dǎo)體中Si(4+)中摻入Al(3+)的半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價(jià)雜質(zhì)的半導(dǎo)體，如在本征半導(dǎo)體中硅Si(4+)中摻入磷P(5+)的半導(dǎo)體。由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體相接觸時(shí)，就產(chǎn)生一個(gè)獨(dú)特的PN結(jié)界面，在界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí)，由于PN結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的PN結(jié)。