北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營：光刻膠

光刻膠京東方

事實上，我國是在缺乏經(jīng)驗、缺乏專業(yè)技術(shù)人才，缺失關(guān)鍵上游原材料的條件下，全靠自己摸索。近年來，盡管光刻膠研發(fā)有了一定突破，但國產(chǎn)光刻膠還是用不起來。目前，國外阻抗已達(dá)到15次方以上，而國內(nèi)企業(yè)只能做到10次方，滿足不了客戶工藝要求和產(chǎn)品升級的要求，有的工藝雖達(dá)標(biāo)了，但批次穩(wěn)定性不好。

“10次方的光刻膠經(jīng)過多次烘烤，由于達(dá)不到客戶需求的防靜電作用，不能應(yīng)用到新一代窄邊框等面板上。而國外做到15次方就有了很好的防靜電作用。這還是我們的光刻膠材料、配方、生產(chǎn)工藝方面存在問題?！崩钪袕?qiáng)說。

關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)不到要求，國內(nèi)企業(yè)始終受制于人。就拿在國際上具有一定競爭實力的京東方來說，目前已建立17個面板顯示生產(chǎn)基地，其中，有16個已經(jīng)投產(chǎn)。但京東方用于面板的光刻膠，仍然由國外企業(yè)提供。

NR9-3000PY光刻膠

三、光刻膠涂覆（Photoresist Coating）

光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前，先在900-1100度濕氧化。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。作為光刻工藝自身的首先過程，一薄層的對紫外光敏感的有機(jī)高分子化合物，即通常所說的光刻膠，要涂在樣品表面(SiO2)。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機(jī)中的樣品表面，(由真空負(fù)壓將樣品固定在樣品臺上)，樣品然后高速旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下，膠在離心力的作用下向邊緣流動。

涂膠工序是圖形轉(zhuǎn)換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質(zhì)量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復(fù)性和接下去的顯影時間，同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應(yīng)超過±5nm(對于1.5um膠厚為±0.3%)。

光刻膠的目標(biāo)厚度的確定主要考慮膠自身的化學(xué)特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細(xì)程度。太厚膠會導(dǎo)致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對于特殊微結(jié)構(gòu)制造，膠厚度有時希望1cm量級。在后者，旋轉(zhuǎn)涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等，這些因素的穩(wěn)定性很重要。

在工藝發(fā)展的早期，負(fù)膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位，隨著VLSI IC和2～5微米圖形尺寸的出現(xiàn)，負(fù)膠已不能滿足要求。隨后出現(xiàn)了正膠，但正膠的缺點是粘結(jié)能力差。

用正膠需要改變掩膜版的極性，這并不是簡單的圖形翻轉(zhuǎn)。因為用掩膜版和兩種不同光刻膠結(jié)合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周圍的衍射效應(yīng)，使得用負(fù)膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。用正膠和暗場掩膜版組合會使光刻膠層上的圖形尺寸變大。

選擇光刻膠需要注意什么

光刻加工工藝中為了圖形轉(zhuǎn)移，輻照必須作用在光刻膠上，通過改變光刻膠材料的性質(zhì)，使得在完成光刻工藝后，光刻版圖形被拷貝在圓片的表面。而加工前，如何選用光刻膠在很大程度上已經(jīng)決定了光刻的精度。盡管正性膠的分辨力是較好的，但實際應(yīng)用中由于加工類型、加工要求、加工成本的考慮，需要對光刻膠進(jìn)行合理的選擇。

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