北京賽米萊德貿(mào)易有限公司
主營產(chǎn)品: 其他電工電氣輔材
半導(dǎo)體光刻膠品牌-正負(fù)光刻膠品牌-負(fù)光阻光刻膠公司-Futurrex
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經(jīng)營模式
生產(chǎn)加工
所在地區(qū)
北京市大興區(qū)
主營產(chǎn)品
PCB穩(wěn)定
PCB被譽(yù)為'電子產(chǎn)品',廣泛應(yīng)用于各個(gè)電子終端。2016年,全球PCB市場規(guī)模達(dá)542.1億美元。國外研究機(jī)構(gòu)預(yù)測,PCB市場年復(fù)合增長率可達(dá)3%,到2020年,PCB全球市場規(guī)模將達(dá)到610億美元;中國在2020年P(guān)CB產(chǎn)值有望達(dá)到311億美元,在2015-2020年期間,年復(fù)合增長率略高于國際市場,為3.5%。得益于PCB行業(yè)發(fā)展剛需,我國PCB光刻膠需求空間巨大。
NR9-3000PY光刻膠
五、曝光
在這一步中,將使用特定波長的光對覆蓋襯底的光刻膠進(jìn)行選擇性地照射。光刻膠中的感光劑會(huì)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),從而使正光刻膠被照射區(qū)域(感光區(qū)域)、負(fù)光刻膠未被照射的區(qū)域(非感光區(qū))化學(xué)成分發(fā)生變化。這些化學(xué)成分發(fā)生變化的區(qū)域,在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。
在接受光照后,正性光刻膠中的感光劑DQ會(huì)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),變?yōu)橐蚁┩?,并進(jìn)一步水解為茚并羧酸(Indene-Carboxylic-Acid, CA),羧酸在堿性溶劑中的溶解度比未感光部分的光刻膠高出約100倍,產(chǎn)生的羧酸同時(shí)還會(huì)促進(jìn)酚醛樹脂的溶解。利用感光與未感光光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度,就可以進(jìn)行掩膜圖形的轉(zhuǎn)移。
曝光方法:
a、接觸式曝光(Contact Printing)掩膜板直接與光刻膠層接觸。
b、接近式曝光(Proximity Printing)掩膜板與光刻膠層的略微分開,大約為10~50μm。
c、投影式曝光(Projection Printing)。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實(shí)現(xiàn)曝光。
d、步進(jìn)式曝光(Stepper)
光刻膠主要用于圖形化工藝
以半導(dǎo)體行業(yè)為例,光刻膠主要用于半導(dǎo)體圖形化工藝。圖形化工藝是半導(dǎo)體制造過程中的核心工藝。圖形化可以簡單理解為將設(shè)計(jì)的圖像從掩模版轉(zhuǎn)移到晶圓表面合適的位置。
一般來講圖形化主要包括光刻和刻蝕兩大步驟,分別實(shí)現(xiàn)了從掩模版到光刻膠以及從光刻膠到晶圓表面層的兩步圖形轉(zhuǎn)移,流程一般分為十步:1.表面準(zhǔn)備,2.涂膠,3.軟烘焙,4.對準(zhǔn)和曝光,5.顯影,6.硬烘焙,7.顯影檢查,8.刻蝕,9.去除光刻膠,10.終檢查。
具體來說,在光刻前首先對于晶圓表面進(jìn)行清洗,主要采用相關(guān)的濕化學(xué)品,包括氨水等。
晶圓清洗以后用旋涂法在表面涂覆一層光刻膠并烘干以后傳送到光刻機(jī)里。在掩模版與晶圓進(jìn)行精準(zhǔn)對準(zhǔn)以后,光線透過掩模版把掩模版上的圖形投影在光刻膠上實(shí)現(xiàn)曝光,這個(gè)過程中主要采用掩模版、光刻膠、光刻膠配套以及相應(yīng)的氣體和濕化學(xué)品。
對曝光以后的光刻膠進(jìn)行顯影以及再次烘焙并檢查以后,實(shí)現(xiàn)了將圖形從掩模版到光刻膠的次圖形轉(zhuǎn)移。在光刻膠的保護(hù)下,對于晶圓進(jìn)行刻蝕以后剝離光刻膠然后進(jìn)行檢查,實(shí)現(xiàn)了將圖形從光刻膠到晶圓的第二次圖形轉(zhuǎn)移。
目前主流的刻蝕辦法是等離子體干法刻蝕,主要用到含氟和含體。