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氣壓燒結(jié)法(GPS)獲得很大的進展

氣壓燒結(jié)法（ GPS)

近幾年來,人們對氣壓燒結(jié)進行了大量的研究，獲得了很大的進展。氣壓燒結(jié)氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓控制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫?zé)Y(jié)，在添加較少燒結(jié)助劑情況下，也足以促進Si3N4晶粒生長，而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結(jié)無論在實驗室還是在生產(chǎn)上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結(jié)氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性，可直接制取接近終形狀的各種復(fù)雜形狀制品，從而可大幅度降低生產(chǎn)成本和加工費用. 而且其生產(chǎn)工藝接近于硬質(zhì)合金生產(chǎn)工藝，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。

氮化硅磚
耐火澆注料在施工時，將耐火材料根據(jù)要求進行混料后即可澆注到需要施工的部位，流動性好，施工便利，縮短施工時間，使用效果好，使用范圍廣，還可用于耐火磚不易砌筑的部位。耐火磚不僅應(yīng)具有較高的熔化溫度，而且還應(yīng)從具有在受到爐子砌休的荷重下或其他機械震動下，不發(fā)生軟化變形和坍塌。找好該窯爐荷重軟化溫度是非常重要的。氮化硅磚

相對分子質(zhì)量140.28?；疑?、白色或灰白色。屬高溫難溶化合物，無熔點，抗高溫蠕變能力強，不含粘結(jié)劑的反應(yīng)燒結(jié)氮化硅負荷軟化點在1800℃以上；六方晶系。晶體呈六面體。反應(yīng)燒結(jié)法制得的Si3N4密度為1.8~2.7g/cm3，熱壓法制得Si3N4密度為3.12~3.22g/cm3。莫氏硬度9~9.5，維氏硬度約為2200，顯微硬度為32630MPa。熔點1900℃（加壓下）。通常在常壓下1900℃左右分解。比熱容0.71J/(g·K)。生成熱為-751.57kJ/mol。熱導(dǎo)率為（2-155）W/(m·K)。線膨脹系數(shù)為2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃)。不溶于水。溶于。在空氣中開始氧化的溫度1300~1400℃。比體積電阻，20℃時為1.4×105 ·m,500℃時為4×108 ·m。彈性模量為28420~46060MPa。耐壓強度為490MPa（反應(yīng)燒結(jié)的）。1285℃時與二氮化二鈣反應(yīng)生成二氮硅化鈣，600℃時使過渡金屬還原，放出氮氧化物?？箯潖姸葹?47MPa?？捎晒璺墼诘獨庵屑訜峄螓u化硅與氨反應(yīng)而制得。電阻率在10^15-10^16Ω.cm?？捎米鞲邷靥沾稍?。