深圳市騰華泰電子有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: 其他二極管
東科-DK5V45R25ST1-功率-45V
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楊蘇華
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經(jīng)營(yíng)模式
經(jīng)銷(xiāo)批發(fā)
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營(yíng)產(chǎn)品
深圳市騰華泰電子有限公司主營(yíng):DK112,DK1203,DK124
二、同步整流的基本原則二極管to同步整流1.二極管改為同步整流拓?fù)湟螹OS體二極管方向和原拓?fù)湎嗤?.在改動(dòng)時(shí)候應(yīng)該注意到驅(qū)動(dòng)的容易程度,如下圖。容易的驅(qū)動(dòng)方法應(yīng)該講整流管(forward)改為下面以便共地方便驅(qū)動(dòng)。適用場(chǎng)合■常規(guī)來(lái)講低壓大電流同步整流非常適合,如1.2V,3.3V,5V等,效率可以得到明顯的提升?!龅漠a(chǎn)品設(shè)計(jì)表明,即使在12V,28V,甚至55V輸出電壓下,如果功率較高(>50W),即使MOS體二極管反向恢復(fù)差于快速二極管,在良好設(shè)計(jì)的情況下,同步整流依然可以提升效率?!鰝鹘y(tǒng)的同步整流方案基本上都是PWM型同步整流,主開(kāi)關(guān)與同步整流開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間必須設(shè)置一定的死區(qū)時(shí)間,以避免交叉導(dǎo)通
DK912DK5V45R25S
IDM模式也就是垂直整合模式。與“無(wú)晶圓廠-芯片外包代工模式”相對(duì)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造模式為“垂直整合模式”(英語(yǔ):IDM,IntegratedDesignandManufacture),即一個(gè)公司包辦從設(shè)計(jì)、制造到銷(xiāo)售的全部流程,需要雄厚的運(yùn)營(yíng)資本才能支撐此營(yíng)運(yùn)模式,如英特爾和三星。三星電子一方面是垂直整合模式,能制造自己設(shè)計(jì)的芯片;另一方面,它也扮演代工廠的角色,同時(shí)給蘋(píng)果公司為iPhone、iPad設(shè)計(jì)的處理器提供代工服務(wù)。
DK5V45R20SDK5V45R25S
能帶導(dǎo)體,咱能理解,絕緣體,咱也能理解,不好理解的,怕是半導(dǎo)體了原子組成物質(zhì)時(shí),會(huì)有很多電子混到一起,但2個(gè)相同電子沒(méi)法待在一個(gè)軌道上,于是,很多軌道就分裂成了好幾個(gè)軌道,這么多軌道擠在一起,不小心挨得近了,就變成了寬寬的大軌道。在量子力學(xué)里,這種細(xì)軌道叫能級(jí),擠在一起變成的寬軌道就叫能帶有些寬軌道擠滿(mǎn)了電子,電子不能移動(dòng),宏觀上表現(xiàn)為不能導(dǎo)電有些寬軌道空間很空曠,電子自由移動(dòng),宏觀上表現(xiàn)為導(dǎo)電有些滿(mǎn)軌道和空軌道挨的太近,電子可以毫不費(fèi)力從滿(mǎn)軌道跑到空軌道上,于是就能自由移動(dòng),這就是導(dǎo)體如果兩條寬軌道之間有空隙,電子單靠自己跨不過(guò)去,表現(xiàn)為不導(dǎo)電如果空隙的寬度在5ev之內(nèi),給電子加個(gè)額外能量,也能跨到空軌道上,跨過(guò)去就能自由移動(dòng),表現(xiàn)為導(dǎo)電。這種空隙寬度不超過(guò)5ev的固體,有時(shí)導(dǎo)電、有時(shí)不導(dǎo)電,所以叫半導(dǎo)體