為了提高微晶玻璃化學機械拋光(CMP)的材料去除速率(MRR),降低其表面粗糙度,利用自制的拋光液對微晶玻璃進行化學機械拋光,研究了4種含不同磨料(Si O2、Al2O3、Fe2O3、Ce O2)的拋光液對微晶玻璃化學機械拋光MRR和表面粗糙度的影響.利用納米粒度儀檢測拋光液中磨料的粒徑分布和Zeta電位,利用原子力顯微鏡觀察微晶玻璃拋光前后的表面形貌.實驗結果表明,在相同條件下,采用Ce O2作為磨料進行化學機械拋光時可以獲得的表面質量,拋光后材料的表面粗糙度Ra=0.4 nm,MRR=100.4 nm/min.進一步研究了拋光液中不同質量分數(shù)的Ce O2磨料對微晶玻璃化學機械拋光的影響,結果表明,當拋光液中Ce O2質量分數(shù)為7%時,MRR達到185 nm/min,表面粗糙度Ra=1.9 nm;而當拋光液中Ce O2質量分數(shù)為5%時,MRR=100.4 nm/min,表面粗糙度Ra=0.4 nm.Ce O2磨料拋光后的微晶玻璃能獲得較低表面粗糙度和較高MRR.

磨粒流拋光主要用于小尺寸和復雜結構化表面的光整精加工。針對磨料參數(shù)選取僅靠其定性選擇原則和經(jīng)驗,導致一些工況的磨料選取不合理而嚴重影響加工質量的問題,提出了一種磨料參數(shù)模糊優(yōu)選的方法。該方法基于模糊數(shù)學理論,采用模糊參數(shù)優(yōu)化建立了多目標磨料參數(shù)優(yōu)選模型,結合磨料參數(shù)的選擇原則和磨料參數(shù)之間的影響建立了相對優(yōu)屬度矩陣和權向量,從而量化了不確定性因素。后,通過實際加工實驗驗證了該方法的合理性和可行性。 對磨料水射流拋光45鋼進行了研究,分析了材料的去除機理,在已有材料去除模型基礎上,設計了正交實驗,對不同參數(shù)組合下磨料水射流加工45鋼的表面粗糙度、材料去除率進行了MATLAB數(shù)據(jù)分析,同時從材料去除機理方面對磨料粒度、射流壓力、橫向進給速度、靶距、噴嘴沖蝕角度等加工參數(shù)對于拋光表面質量和材料去除率的影響程度和影響趨勢進行了分析。終結合加工面表面粗糙度和材料去除率,選出45鋼拋光加工優(yōu)加工參數(shù)組合。

珍珠巖拋光磨料17.2簡介：珍珠巖是一種玻璃質酸性噴出巖，SiO2含量高，超過65％，一般為65％一78％。堿質（K2O十Na2O）含量較高，約為7％一8％。珍珠巖中含水量一般為2％一6％，水是在巖漿快速冷凝時，其中的水蒸氣來不及逸出而包裹在其中的。珍珠巖呈無色、淡灰、蘭綠等顏色，玻璃光澤，一般發(fā)育有同心圓狀的珍珠裂理。珍珠裂理是珍珠巖冷凝收縮時形成的，是珍珠巖發(fā)育的特征?！局行艗伖饽チ稀?7.3產(chǎn)品流程：珍珠巖拋光磨料：珍珠巖經(jīng)過粉碎、篩分等工藝流程，即可成為拋光磨料。17.4產(chǎn)品分類：目前國內(nèi)珍珠巖拋光磨料一般有70目、90目、120目三種。17.5產(chǎn)品特征：該產(chǎn)品色澤呈灰白色至白色，莫氏硬度5.7，粒徑分布0.8μm～80μm，其中產(chǎn)品型號以中心粒徑劃分，如120目產(chǎn)品，其17＋或－1μm粒徑不少于50％。

產(chǎn)品用途分析：珍珠巖磨料主要用于電視機玻殼、電腦顯示屏、光學玻璃儀器及玻璃工藝飾品的拋光。在某些計算機顯示屏生產(chǎn)中，為了降低顯示屏表面的反光度，保護操作人員的視力，需要對顯示屏玻殼表面進行打磨。電腦顯示屏玻殼的摩氏硬度一般在6.8一7.0之間，珍珠巖的摩氏硬度為5一6，硬度中等，非常適于玻殼的研磨。將珍珠巖磨料加到玻屏表面在打磨機上施加一定的壓力，與砂紙一起對玻屏表面進行機械打磨，使玻殼表面的光澤度達到適當?shù)某潭??！局行艗伖饽チ稀酷愪X石榴石(YAG)是一種應用廣泛的硬脆難加工材料,其拋光過程工藝復雜、效率低。固結磨料拋光技術具有平坦化能力優(yōu)、對工件形貌選擇性高、磨料利用率高等優(yōu)點。試驗采用固結磨料拋光YAG晶體,研究固結磨料墊的基體硬度和金剛石磨粒尺寸對YAG晶體的材料去除率和表面質量的影響。結果表明:當基體硬度適中為Ⅱ、金剛石磨粒尺寸3～5μm時,固結磨料拋光YAG晶體效果優(yōu),其材料去除率為255 nm/min,表面粗糙度S_a值為1.79 nm。