北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營：光刻膠

光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進運用到PCB板的制造，并于20世紀(jì)90年代運用到平板顯示的加工制造。終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。

以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。

光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達到EUV(<13.5nm)線水平。

目前，半導(dǎo)體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國企業(yè)所壟斷。

彩色薄膜少了光刻膠，產(chǎn)生不了絢麗的畫面

顯示器是人與機器溝通的重要界面。光刻膠是整個光刻工藝的重要部分，也是國際上技術(shù)門檻較高的微電子化學(xué)品之一，主要應(yīng)用在集成電路和平板顯示兩大產(chǎn)業(yè)。光刻技術(shù)決定了集成電路的集成度，技術(shù)節(jié)點的推進和實現(xiàn)。

章宇軒介紹,我們在日常工作生活中，之所以能從顯示屏幕上看到色彩斑斕的畫面，就是離不開屏幕中厚度只有2μm、卻占面板成本16％的一層彩色薄膜。然而，彩色薄膜顏色的產(chǎn)生，必須由光刻膠來完成。

LCD是非主動發(fā)光器件，其色彩顯示必須由本身的背光系統(tǒng)或外部的環(huán)境光提供光源，通過驅(qū)動器與控制器形成灰階顯示，再利用彩色濾光片產(chǎn)生紅、綠、藍三基色，依據(jù)混色原理形成彩色顯示畫面。

其中，根據(jù)顏色的不同，可以將光刻膠分為黑色、紅色、綠色、藍色四種。彩色濾光片的制作就是在玻璃基板上應(yīng)用黑色光刻膠制作黑色矩陣，再應(yīng)用紅、綠、藍光刻膠制作三原色像素。

光刻的工序

下面我們來詳細(xì)介紹一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少其它缺陷，提高光刻膠黏附性

基本步驟：化學(xué)清洗——漂洗——烘干。

自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學(xué)清洗工藝得到了廣泛應(yīng)用，1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA清洗理論為基礎(chǔ)的各種清洗技術(shù)不斷被開發(fā)出來，例如：美國FSI公司推出離心噴淋式化學(xué)清洗技術(shù)、美國原CFM公司推出的Full-Flow systems封閉式溢流型清洗技術(shù)、美國VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學(xué)清洗技術(shù)（例Goldfinger Mach2清洗系統(tǒng)）、美國SSEC公司的雙面檫洗技術(shù)（例M3304 DSS清洗系統(tǒng)）、 日本提出無藥液的電介離子水清洗技術(shù)（用電介超純離子水清洗）使拋光片表面潔凈技術(shù)達到了新的水平、以HF / O3為基礎(chǔ)的硅片化學(xué)清洗技術(shù)。