北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營：光刻膠
NR77-25000P,RD8

 品牌

 產(chǎn)地

 型號

 厚度

 曝光

 應(yīng)用

 加工

 特性

 Futurrex

 美國

 NR71-1000PY

 0.7μm~2.1μm

 高溫耐受

 用于i線曝光的負(fù)膠

 LEDOLED、

     顯示器、

 MEMS、

     封裝、

     生物芯片等

     金屬和介電

     質(zhì)上圖案化，

     不必使用RIE

     加工器件的永

    組成

    （OLED顯示

     器上的間隔

     區(qū)）凸點、

     互連、空中

     連接微通道

     顯影時形成光刻膠倒

     梯形結(jié)構(gòu)

     厚度范圍：

     0.5～20.0 μm

     i、g和h線曝光波長

     曝光

     對生產(chǎn)效率的影響：

     金屬和介電質(zhì)圖案化

     時省去干法刻蝕加工

     不需要雙層膠技術(shù)

 NR71-1500PY

  1.3μm~3.1μm

 NR71-3000PY

 2.8μm～6.3μm

 NR71-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR9-100PY

 0.7μm~2.1μm

 粘度增強

 NR9-1500PY

 1.3μm~3.1μm

 NR9-3000PY

 2.8μm~6.3μm

 NR9-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR71G-1000PY

 0.7μm~2.1μm

 高溫耐受

  負(fù)膠對  g、h線波長的靈敏度

 NR71G-1500PY

 1.3μm~3.1μm

 NR71G-3000PY

 2.8μm~6.3μm

 NR71G-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR9G-100PY

 0.7μm～2.1μm

 粘度增強

 NR9G-1500PY

 1.3μm～3.1μm

 NR9G-3000PY

 2.8μm～6.3μm

 NR9G-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 品牌

 產(chǎn)地

 型號

 厚度

 耐熱溫度

 應(yīng)用

 Futurrex

 美國

 PR1-500A

 0.4μm～0.9μm

光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)

1、分辨率:區(qū)別硅片表面相鄰圖形特性的能力，一般用關(guān)鍵尺寸來衡量 分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。

2、對比度:指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側(cè)壁越陡峭，分辨率越好。

3、敏感度:光刻膠上產(chǎn)生一 個良好的圖形所需一 定波長的小能量值(或小曝光量)。單位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻膠

的敏感性對于波長更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。

4、粘滯性/黏度:衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會產(chǎn)生厚的光刻膠;越小的

粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。

5、粘附性:表征光刻膠粘著于襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導(dǎo)致硅片表面的圖形變形。

6、抗蝕性:光刻膠必須保持它的粘附性，在后續(xù)的刻蝕I序中保護襯底表面。

7、表面張力:液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。

8、存儲和傳送:能量可以啟動光刻膠。應(yīng)該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。 同時必須規(guī)定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環(huán)境。

以上內(nèi)容由賽米萊德為您提供，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助！

光刻膠：半導(dǎo)體技術(shù)壁壘的材料之一

光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝，耗時占IC制造50%左右，成本約占IC生產(chǎn)成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材，光刻膠的質(zhì)量對光刻工藝有著重要影響。

賽米萊德——專業(yè)生產(chǎn)、銷售光刻膠，我們公司堅持用戶為上帝，想用戶之所想，急用戶之所急，以誠為本，講求信譽，以產(chǎn)品求發(fā)展，以質(zhì)量求生存，我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。