導電光刻膠 雙層光刻膠品牌 Futurrex 負光阻光刻膠
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導電光刻膠 雙層光刻膠品牌 Futurrex 負光阻光刻膠

導電光刻膠-雙層光刻膠品牌-Futurrex-負光阻光刻膠

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聚焦補償 -15μm
可售賣地 全國
縱橫比 4.5
膜厚 54μm
運輸方式 貨運及物流
掩模尺寸 12μm
光刻膠型號 NR5-8000
報價方式 按實際訂單報價為準
曝光能量 1100 mJ/cm22
產(chǎn)品編號 12084581
商品介紹
北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營:光刻膠




NR9-1000py

問題回饋:

1.我們是LED制造商,麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。

A 據(jù)我所知,F(xiàn)uturrex

有幾款膠很,NR7-1500P

NR7-3000P是專門為離子蝕刻

設(shè)計的,NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應用。

2.請問有沒有可以替代goodpr1518,Micropure去膠液和goodpr顯影液的產(chǎn)品?

A 美國光刻膠,F(xiàn)uturrex

正膠PR1-2000A

, 去膠液RR4,和顯影液RD6可以解決以上問題。

3.你們是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的應用產(chǎn)品?

A 我們建議使用Futurrex

PR1-500A , 它有幾個優(yōu)點:比較好的解析度,比較好的線寬控制,

反射比較少,不需要HMDS,RIE后去除容易等~

4. 求助,耐高溫的光阻是那一種?

A Futurrex, NR7 serious(負光阻)Orpr1 serious(正光阻),再經(jīng)過HMCTS

silyiation process,可以達到耐高溫200度,PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。

5.厚膜光阻在鍍金應用上,用哪一種比較理想?

A Futurrex , NR4-8000P比干膜,和其他市面上的濕膜更加適合,和理想。

6.請教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合?

A 可以考慮使用Futurrex

,正型光阻PR1,負型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度,完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7.請問,那位專家知道,RIE

Mask,用什么光阻比較好?

A 正型光阻用PR1系列,負型光阻使用NR5,兩種都可以耐高溫180度。

8.一般厚膜制程中,哪一種光阻適合?

A NR9-8000P有很高的深寬比(超過4:1),一般厚膜以及,MEMS產(chǎn)品的高需求。

9.在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎?

A 建議不使用,因為使用NR5-8000更加理想和適合。

10.我們是OLED,我們有一種制程上需要一層SPACER,那種光阻適合?

A 有一種膠很適合,美國Futurrex

生產(chǎn)的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers



光刻膠的分類

以下是賽米萊德為您一起分享的內(nèi)容,賽米萊德專業(yè)生產(chǎn)光刻膠,歡迎新老客戶蒞臨。

硅片制造中,光刻膠的目的主要有兩個:(1)將掩模版圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中;(2)在后續(xù)工藝中,保護下面的材料(例如刻蝕或離子注入阻擋層)。

分類

光刻膠的技術(shù)復雜,品種較多。根據(jù)其化學反應機理和顯影原理,可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負性膠;反之,對某些溶劑是不可溶的,經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。圖1是正性膠的顯影工藝與負性膠顯影工藝對比結(jié)果示意圖 [2]  。



光刻膠的作用有什么?

光刻是將圖形由掩膜版上轉(zhuǎn)移到硅片上,為后續(xù)的刻蝕步驟作準備。在光刻過程中,需在硅片上涂一層光刻膠,經(jīng)紫外線曝光后,光刻膠的化學性質(zhì)發(fā)生變化,在通過顯影后,被曝光的光刻膠將被去除,從而實現(xiàn)將電路圖形由掩膜版轉(zhuǎn)移到光刻膠上。再經(jīng)過刻蝕過程,實現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上。在刻蝕過程中,光刻膠起防腐蝕的保護作用。



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