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LED驅(qū)動(dòng)電源，帶ic和不帶ic的區(qū)別！

兩者在原理上沒(méi)啥太大的區(qū)別，只不過(guò)LED驅(qū)動(dòng)IC為了迎合LED照明的特點(diǎn)，集成了更多的功能，就算用普通的電源驅(qū)動(dòng)IC一樣可以實(shí)來(lái)現(xiàn)那些功能，只不過(guò)電路更復(fù)雜一些。

LED的驅(qū)動(dòng)IC是電路設(shè)計(jì)方案關(guān)系是不大的，它只跟需要驅(qū)動(dòng)LED的總功率有關(guān)自系，就是這個(gè)IC有一個(gè)驅(qū)動(dòng)功率，超過(guò)這個(gè)功率就要換別的IC了。這個(gè)功率范圍內(nèi)都是可以的zd，但電源電路的設(shè)計(jì)就與LED電路設(shè)計(jì)方案有關(guān)系了，必須有針對(duì)性的設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電源。

MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路（一）

MOSFET數(shù)字電路

數(shù)字科技的進(jìn)步，如微處理器運(yùn)算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動(dòng)力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來(lái)越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動(dòng)元件中快的一種。MOSFET在數(shù)字信號(hào)處理上的成功來(lái)自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結(jié)構(gòu)好處是理論上不會(huì)有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門(mén)（logic gate）的切換動(dòng)作時(shí)才有電流通過(guò)。CMOS邏輯門(mén)基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門(mén)的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉(zhuǎn)換的瞬間同一時(shí)間內(nèi)必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導(dǎo)通的狀態(tài)下，另一種必定是截止?fàn)顟B(tài)，這使得從電源端到接地端不會(huì)有直接導(dǎo)通的路徑，大量節(jié)省了電流或功率的消耗，也降低了集成電路的發(fā)熱量。

MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢(shì)是對(duì)直流（DC）信號(hào)而言，MOSFET的柵極端阻抗為無(wú)限大（等效于開(kāi)路），也就是理論上不會(huì)有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點(diǎn)，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手BJT相較之下更為省電，而且也更易于驅(qū)動(dòng)。在CMOS邏輯電路里，除了負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)芯片外負(fù)載（off-chip load）的驅(qū)動(dòng)器（driver）外，每一級(jí)的邏輯門(mén)都只要面對(duì)同樣是MOSFET的柵極，如此一來(lái)較不需考慮邏輯門(mén)本身的驅(qū)動(dòng)力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如常見(jiàn)的TTL）就沒(méi)有這些優(yōu)勢(shì)。MOSFET的柵極輸入電阻無(wú)限大對(duì)于電路設(shè)計(jì)工程師而言亦有其他優(yōu)點(diǎn)，例如較不需考慮邏輯門(mén)輸出端的負(fù)載效應(yīng)（loading effect）。

?MOS管驅(qū)動(dòng)要求

良好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路需要滿(mǎn)足以下要求：

1、開(kāi)關(guān)管開(kāi)啟瞬時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流，使MOSFET柵源極之間的電壓迅速上升到所需的值，以保證開(kāi)關(guān)管能迅速開(kāi)啟，且無(wú)高頻振蕩沿上升方向。

2、開(kāi)關(guān)導(dǎo)通期間的驅(qū)動(dòng)電路能夠保證MOSFET柵源間電壓的穩(wěn)定和可靠導(dǎo)通。

3、關(guān)斷瞬時(shí)驅(qū)動(dòng)電路為MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放提供了盡可能低的阻抗，保證了開(kāi)關(guān)管的快速關(guān)斷。

4、驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠，損耗小。

5、視情況實(shí)行隔離。