北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營：光刻膠

市場規(guī)模

中國半導體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定增長，全球半導體產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移。據(jù)WSTS和SIA統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2016年中國半導體市場規(guī)模為1659.0億美元，增速達9.2%，大于全球增長速度（1.1%）。2016年中國半導體制造用光刻膠市場規(guī)模為19.55億元，其配套材料市場規(guī)模為20.24億元。預計2017和2018年半導體制造用光刻膠市場規(guī)模將分別達到19.76億元和23.15億元，其配套材料市場規(guī)模將分別達到22.64億元和29.36億元。在28nm生產(chǎn)線產(chǎn)能尚未得到釋放之前，ArF光刻膠仍是市場主流半導體應用廣泛，需求增長持續(xù)性強。近些年來，全球半導體廠商在中國大陸投設(shè)多家工廠，如臺積電南京廠、聯(lián)電廈門廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等。諸多半導體工廠的設(shè)立，也拉動了國內(nèi)半導體光刻膠市場需求增長。

光刻工藝主要性一

光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復雜等特征，還需要相應光刻機與之配對調(diào)試。一般情況下，一個芯片在制造過程中需要進行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。

針對不同應用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調(diào)整光刻膠的配方來實現(xiàn)。因此，通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商核心的技術(shù)。

此外，由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應。光刻分辨率與曝光波長、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關(guān)。

NR77-20000P光刻膠

6，堅膜

堅膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象，能使膠膜附著能力增強，康腐蝕能力提高。堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min,7，顯影檢驗,光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡，針KONG、小島。

8刻蝕

就是將涂膠前所墊基的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋和保護的那部分進行腐蝕掉，達到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到下層材料的目的。濕法刻蝕，SIO2,AL, Poly-Si 等薄膜，干法腐蝕。