美國Futurrex的光刻膠

北京賽米萊德貿易有限公司供應美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，此款負膠的設計適用于比較寬的波長范圍和i線（366納米）曝光工具。當顯影后顯示出負的側壁角度，是lift-off工藝中比較簡易的光刻膠。和其他膠相比NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢： 1. 比較高的光刻速度，可以定制光刻速度來曝光產量 2. 比較高的分辨率和快的顯影時間 3. 根據曝光能量可以比較容易的調整側壁角度 4. 耐溫可以達到100攝氏度 5. 用RR5去膠液可以很容易的去膠 NR9-3000PY的制作和工藝是根據職業(yè)和環(huán)境的安全而設計。主要的溶劑是，NR9-3000PY的顯影在水溶液里完成。屬固含量（%）：31-35 主要溶劑： 外觀： 淺液體涂敷能：均勻的無條紋涂敷 100攝氏度熱板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度 40秒自旋。

光刻膠市場

全球光刻膠市場擴增，對光刻膠的總需求不斷提升。據估計，2015年國際光刻膠市場達73.6億美元，其中PCB光刻膠占比24.5%，LCD光刻膠占26.6%，半導體光刻膠占比24.1%。2010年到2015年期間，國際光刻膠市場年復合增長率約為5.8%；據中國產業(yè)信息網數據，2015年，PCB光刻膠、LCD光刻膠和半導體光刻膠的國際市場增速均在5%左右。在下游產業(yè)的帶動下，江瀚咨詢預計國際光刻膠市場規(guī)模在2022年可能突破100億美元。

光刻膠的生產步驟

1、準備基質：在涂布光阻劑之前，硅片一般要進行處理，需要經過脫水烘培蒸發(fā)掉硅片表面的水分，并涂上用來增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物以及硅二乙胺。

2、涂布光阻劑（photo resist）：將硅片放在一個平整的金屬托盤上，托盤內有小孔與真空管相連，硅片就被吸在托盤上，這樣硅片就可以與托盤一起旋轉。

3、軟烘干：也稱前烘。在液態(tài)的光刻膠中，溶劑成分占65％－85％，甩膠之后雖然液態(tài)的光刻膠已經成為固態(tài)的薄膜，但仍有10％－30％的溶劑，容易玷污灰塵。通過在較高溫度下進行烘培，可以使溶劑從光刻膠中揮發(fā)出來，從而降低了灰塵的玷污。

4、曝光：曝光過程中，光刻膠中的感光劑發(fā)生光化學反應，從而使正膠的感光區(qū)、負膠的非感光區(qū)能夠溶解于顯影液中。正性光刻膠中的感光劑DQ發(fā)生光化學反應，變?yōu)橐蚁┩?，進一步水解為茚并羧酸，羧酸對堿性溶劑的溶解度比未感光的感光劑高出約100倍，同時還會促進酚醛樹脂的溶解。于是利用感光與未感光的光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度，就可以進行掩膜圖形的轉移。

5、顯影（development） ：經顯影，正膠的感光區(qū)、負膠的非感光區(qū)溶解于顯影液中，曝光后在光刻膠層中的潛在圖形，顯影后便顯現出來，在光刻膠上形成三位圖形。為了提高分辨率，幾乎每一種光刻膠都有專門的顯影液，以保證高質量的顯影效果。

6、硬烘干：也稱堅膜。顯影后，硅片還要經過一個高溫處理過程，主要作用是除去光刻膠中剩余的溶劑，增強光刻膠對硅片表面的附著力，同時提高光刻膠在刻蝕和離子注入過程中的抗蝕性和保護能力。

7、刻（腐）蝕或離子注入

8、去膠：刻蝕或離子注入之后，已經不再需要光刻膠作保護層，可以將其除去，稱為去膠，分為濕法去膠和干法去膠，其中濕法去膠又分去膠和無機溶劑去膠。