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LED驅(qū)動(dòng)電源，帶ic和不帶ic的區(qū)別！

兩者在原理上沒(méi)啥太大的區(qū)別，只不過(guò)LED驅(qū)動(dòng)IC為了迎合LED照明的特點(diǎn)，集成了更多的功能，就算用普通的電源驅(qū)動(dòng)IC一樣可以實(shí)來(lái)現(xiàn)那些功能，只不過(guò)電路更復(fù)雜一些。

LED的驅(qū)動(dòng)IC是電路設(shè)計(jì)方案關(guān)系是不大的，它只跟需要驅(qū)動(dòng)LED的總功率有關(guān)自系，就是這個(gè)IC有一個(gè)驅(qū)動(dòng)功率，超過(guò)這個(gè)功率就要換別的IC了。這個(gè)功率范圍內(nèi)都是可以的zd，但電源電路的設(shè)計(jì)就與LED電路設(shè)計(jì)方案有關(guān)系了，必須有針對(duì)性的設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電源。

igbt驅(qū)動(dòng)電路的簡(jiǎn)介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

12v直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路芯片選型

L9110 是為控制和驅(qū)動(dòng)電機(jī)設(shè)計(jì)的兩通道推挽來(lái)式功率放大專用集成電路器件，將自分立電路集成在單片IC 之中，使外圍器件成本降低，整機(jī)可靠性提高。該芯片有兩個(gè)TTL/CMOS兼容電平的輸入，可直接與單片機(jī)百接口，具有良好的抗干擾性；兩個(gè)輸出端能直接驅(qū)動(dòng)電機(jī)的正反向運(yùn)動(dòng)，它具有較大的電流驅(qū)動(dòng)能力，每通道能通過(guò)750~800mA 的持續(xù)電流，峰值電流能力可達(dá)1.5~2.0A;同時(shí)它具有較低的輸出飽和壓降；內(nèi)度置的鉗位二極管能釋放感性負(fù)載的反向沖擊電流，使它在問(wèn)驅(qū)動(dòng)繼電器、直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)或開(kāi)關(guān)答功率管的使用上安全可靠。L9110 被廣泛應(yīng)用于玩具汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)功率管等電路上。