北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營：光刻膠

光刻膠市場

據(jù)統(tǒng)計資料顯示，2017年中國光刻膠行業(yè)產(chǎn)量達到7.56萬噸，較2016年增加0.29萬噸，其中，中國本土光刻膠產(chǎn)量為4.41萬噸，與7.99萬噸的需求量差異較大，說明我國供給能力還需提升。

國內(nèi)企業(yè)的光刻膠產(chǎn)品目前還主要用于PCB領(lǐng)域，代表企業(yè)有晶瑞股份、科華微電子。

在半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域，隨著汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展，會在一定程度上增加對G線、I線的需求，利好G線、I線等生產(chǎn)企業(yè)。預(yù)計G線正膠今后將占據(jù)50%以上市場份額，I線正膠將占據(jù)40%左右的市場份額，DUV等其他光刻膠約占10%市場份額，給予北京科華、蘇州瑞紅等國內(nèi)公司及美國futurrex的光刻膠較大市場機會。

光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進運用到PCB板的制造，并于20世紀90年代運用到平板顯示的加工制造。終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。

以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。

光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達到EUV(<13.5nm)線水平。

目前，半導(dǎo)體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國企業(yè)所壟斷。

NR77-20000P

正膠PR1-2000A1技術(shù)資料

正膠PR1-2000A1是為曝光波長為365 或者436納米，可用于晶圓步進器、掃描投影對準器、近程打印機和接觸式打印機等工具。PR1-2000A1可以滿足對附著能力較高的要求，在使用PR1-2000A1時一般不需要增粘劑，如HMDS。

相對于其他的光刻膠，PR1-2000A1有如下的一些額外的優(yōu)勢：

PEB，不需要后烘的步驟；

較高的分別率；

快速顯影；

較強的線寬控制；

蝕刻后去膠效果好；

在室溫下有效期長達2年。