

深圳市瑞泰威科技有限公司
主營產品: 磁簧開關
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大尺寸LCD驅動IC的特點
,高電7a6431333365643535壓工藝。模擬電路中電壓越高,驅動能力越強,因此大尺寸LCD驅動IC采用高電壓制造工藝,通常Source Driver IC為10~12V, Gate Driver IC更高,達40V。
第二,運行頻率高。液晶顯示器的分辨率越來越高,這就意味著掃描列數的增加, Gate Driver IC必須不斷提高開關頻率, Source Driver IC必須不斷提高掃描頻率。
第三,封裝工藝特殊。LCD驅動IC通常綁定在LCD面板上,因此厚度必須盡可能地薄,通常采用高成本的TCP封裝。還有特別追求薄的,采用COG封裝,再有就是目前正在興起的COF封裝。
第四,管腳數特別多。Gate Driver IC少256腳, Source Driver IC少384腳。

第五,單一型號出貨量特別大。驅動IC 單月平均出貨量高達1.5億片,而其中平均每個型號的出貨量達差不多在300萬片左右。LCD 的構造是在兩片平行的玻璃當中放置液態(tài)的晶體,兩片玻璃中間有許多垂直和水平的細小電線,透過通電與否來控制桿狀水晶分子改變方向,將光線折射出來產生畫面。
IGBT的驅動電路特點(二)
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。
特點:擊穿電壓可達1200V,集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優(yōu)點,既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優(yōu)點,又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點,其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內,在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用,在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,只有在u級的漏電流流過,基本上不消耗功率。
顯示信息驅動ic是顯示器顯像系統軟件的關鍵一部分,是集成了電阻器,控制器,電壓比較器和輸出功率三極管等構件的,包含LCD控制模塊和顯示信息分系統,承擔驅動器顯示屏和操縱工作電壓等作用,分成靜態(tài)數據驅動器和動態(tài)性驅動器二種方式。
顯示信息驅動ic可以驅動器各種各樣高中低檔特性,單、雙及精彩的顯示器。普遍的運用于電信網、郵政快遞、金融業(yè)、交通出行、運動場館等每個制造行業(yè)和政府部門部門。
