為解決多孔金屬結(jié)合劑CBN砂輪在高孔隙率下的強(qiáng)度下降問題,采用球形尿素顆粒為造孔劑,制作孔徑、孔形和孔隙可控的多孔金屬結(jié)合劑砂輪磨料層胎體,研究不同載荷情況下的孔隙率和孔隙排布等孔隙結(jié)構(gòu)因素,對多孔金屬結(jié)合劑磨料層胎體力學(xué)性能的影響規(guī)律。結(jié)果表明:孔隙有序排布時(shí)的胎體彈性模量要小于孔隙無序排布的;胎體材料的屈服強(qiáng)度隨孔隙率增大而下降;在相同孔隙率下,孔隙有序排布的胎體,在縱向受壓、孔隙正向排布的情況下屈服強(qiáng)度更高。

珍珠巖拋光磨料17.2簡介：珍珠巖是一種玻璃質(zhì)酸性噴出巖，SiO2含量高，超過65％，一般為65％一78％。堿質(zhì)（K2O十Na2O）含量較高，約為7％一8％。珍珠巖中含水量一般為2％一6％，水是在巖漿快速冷凝時(shí)，其中的水蒸氣來不及逸出而包裹在其中的。珍珠巖呈無色、淡灰、蘭綠等顏色，玻璃光澤，一般發(fā)育有同心圓狀的珍珠裂理。珍珠裂理是珍珠巖冷凝收縮時(shí)形成的，是珍珠巖發(fā)育的特征?！局行艗伖饽チ稀?7.3產(chǎn)品流程：珍珠巖拋光磨料：珍珠巖經(jīng)過粉碎、篩分等工藝流程，即可成為拋光磨料。17.4產(chǎn)品分類：目前國內(nèi)珍珠巖拋光磨料一般有70目、90目、120目三種。17.5產(chǎn)品特征：該產(chǎn)品色澤呈灰白色至白色，莫氏硬度5.7，粒徑分布0.8μm～80μm，其中產(chǎn)品型號以中心粒徑劃分，如120目產(chǎn)品，其17＋或－1μm粒徑不少于50％。

采用霧化施液化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的方法,以材料去除速率和表面粗糙度為評價(jià)指標(biāo),選取適合硒化鋅拋光的磨料,通過單因素實(shí)驗(yàn)對比CeO2、SiO2和Al2O3三種磨料的拋光效果。結(jié)果顯示:采用Al2O3拋光液可以獲得的材料去除率,為615.19nm/min,而CeO2和SiO2磨料的材料去除率分別只有184.92和78.56nm/min。進(jìn)一步分析磨料粒徑對實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響規(guī)律,表明100nm Al2O3拋光后的表面質(zhì)量,粗糙度Ra僅為2.51nm,300nm Al2O3的去除速率,達(dá)到1 256.5nm/min,但表面存在嚴(yán)重缺陷,出現(xiàn)明顯劃痕和蝕坑。在相同工況條件下,與傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光相比,精細(xì)霧化拋光的去除速率和表面粗糙度與傳統(tǒng)拋光相近,但所用拋光液量約為傳統(tǒng)拋光的1/8,大大提高了拋光液的利用率。

對InP晶片進(jìn)行了集群磁流變拋光實(shí)驗(yàn),研究了拋光過程中磨料參數(shù)（類型、質(zhì)量分?jǐn)?shù)和粒徑）對InP材料去除速率和表面粗糙度的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,InP晶片的去除速率隨磨料硬度的增加而變大,表面粗糙度受磨料硬度和密度的綜合影響;在選取的金剛石、SiC、Al2O3和SiO2等4種磨料中,使用金剛石磨料的InP去除速率,使用SiC磨料的InP拋光后的表面質(zhì)量。隨著SiC質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加,InP去除速率逐漸增加,但表面粗糙度先減小后增大。當(dāng)使用質(zhì)量分?jǐn)?shù)4%、粒徑3μm的SiC磨料對InP晶片進(jìn)行拋光時(shí),InP去除速率達(dá)到2.38μm/h,表面粗糙度從原始的33 nm降低到0.84 nm。