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3SRB5016?GBU2510整流橋?yàn)槭裁春芏嚯娫磸S家找臺灣ASEMI

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GBU2510整流橋?yàn)槭裁春芏嚯娫磸S家找臺灣ASEMI？讓客戶都瘋狂，眾口相傳，甚至客戶轉(zhuǎn)介紹。作為一款如此受客戶追捧的好產(chǎn)品，我們覺得我們有必要給大家介紹一下這款型號的電性參數(shù)。GBU2510電性參數(shù)，它的工作時(shí)耐溫度范圍為-55~150攝氏度。采用玻璃鈍化工藝制作用的GPP芯片,經(jīng)過了拉晶、晶棒加工、晶圓切片、晶圓磨邊、化學(xué)研磨、鏡面拋光、溝槽蝕刻、檢測電性等環(huán)節(jié)。在品質(zhì)工藝上制作是使用的健鼎一體化自動生產(chǎn)線設(shè)備,全程工藝由電腦控制，臺灣ASEMI半導(dǎo)體作為進(jìn)口整流橋的典型代表，它反向耐壓為1000V，正向電壓（VF）為1.1V，的浪涌電流為200A，漏電流為5uA。

?ASEMI半導(dǎo)體KBPC5010

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ASEMI半導(dǎo)體KBPC5010是一款大功率整流橋產(chǎn)品，電性參數(shù)為50A  1000V，采用高耐沖擊性能的180MIL大規(guī)格整流芯片，全身金屬材質(zhì)外殼使得橋堆的扇熱性能大幅提升，GPP工藝芯片讓產(chǎn)品性能更加穩(wěn)定可靠。ASEMI半導(dǎo)體13年在電源整流領(lǐng)域積累的深厚技術(shù)沉淀，讓品質(zhì)騰飛，大功率整流橋選ASMEI品牌KBPC5010，一款上市公司長期訂購的橋堆。

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SSR1013L控制邏輯

當(dāng)檢測到 A-K 正向壓降大于 V on_ak 時(shí)，控制功率 MOS 導(dǎo)通，導(dǎo)通時(shí)間 1us 。導(dǎo)通后 A-K之間壓差降低，當(dāng)檢測到 A-K 壓差達(dá)到 V off-ak 時(shí)，控制功率 MOSFET 關(guān)閉。

SSR1013L電壓采集電路

通過獨(dú)有的電壓采樣方式將 A-K 壓降無誤的采集到比較器的比較端，以供比較器產(chǎn)生準(zhǔn)確控制邏輯，以達(dá)到精準(zhǔn)控制功率 MOSFET 的目的。

SSR1013L開啟時(shí)間

當(dāng)檢測到功率 MOSFET 開通時(shí)，開通時(shí)間 1us ，以提高電路的抗干擾能力，保證MOSFET 不會出現(xiàn)誤關(guān)斷現(xiàn)象。