上海菲茲電子科技有限公司全新銷售功率半導體產品及配套器件，是功率半導體行業(yè)知名企業(yè)。公司憑借多年的從業(yè)經驗、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽，在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)品牌形象，同時菲茲與多家電力電子行業(yè)和上市公司長期保持著穩(wěn)定互信的合作關系，也是眾多知名電子廠商（三菱、英飛凌、西門康，艾塞斯，尼爾，ABB，西瑪，三社、宏微等）的優(yōu)良誠信分銷商。通過多年的實戰(zhàn)經驗，菲茲人積累了堅實的功率半導體應用知識，為電力拖動、風力發(fā)電、電焊機、變頻器、高頻感應加熱、逆變電源、電力機車等行業(yè)提供完善的解決方案，為客戶提供完整的技術支持！
N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子，空穴為少數載流子。

反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。

正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。

當二極管兩端的正向電壓超過一定數值，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向導通。叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。硅二極管的正向導通壓降約為0.6~0.8V，鍺二極管的正向導通壓降約為0.2~0.3V。
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1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產品；
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