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通信芯片特點(diǎn)（四）

藍(lán)色巨人IBM和北方電訊(Nortel) 公司的科學(xué)家們還聯(lián)合研制出了一款制造材料既非硅、也非鍺的新型芯片，這就是SiGe芯片，它是由硅(Si)和鍺(Ge)兩種材料的混合物制造而成的，稱為SiGe混合物半導(dǎo)體芯片。 根據(jù)這兩家公司的合作協(xié)議，Nortel公司負(fù)責(zé)為幾種高速通信應(yīng)用程序?qū)ｉT設(shè)計(jì)這種新型SiGe芯片，而IBM公司則負(fù)責(zé)專門生產(chǎn)這種芯片。 

這種SiGe芯片是目前其他一些非硅半導(dǎo)體芯片諸如芯片的有益的補(bǔ)充，SiGe芯片能夠有力地支持研發(fā)更復(fù)雜、高速的通信新產(chǎn)品。與芯片比較，SiGe芯片有著其明顯的優(yōu)勢(shì)，SiGe芯片的集成度更高，體積更小，功耗也更少。此外，SiGe芯片還有一個(gè)突出的優(yōu)點(diǎn)，它可以用現(xiàn)有的硅芯片生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行加工，而不必另外添置其它的加工設(shè)備，從而能夠有效地降低生產(chǎn)成本，與其他的非硅芯片更具有價(jià)格優(yōu)勢(shì)。

IC卡的制作流程（五）

（1）過(guò)程

為啟動(dòng)對(duì)卡的操作，接口電路應(yīng)按圖1所示順序電路：

◇RST處于L狀態(tài)；

◇根據(jù)所選擇卡的類型，對(duì)VCC加電A類或B類，

◇VPP上升為空閑狀態(tài)；

◇接口電路的I/O應(yīng)置于接收狀態(tài)；

◇向IC卡的CLK提供時(shí)鐘信號(hào)（A類卡1～5MHz，B類卡1～4MHz）。

在t’a時(shí)間對(duì)IC卡的CLK加時(shí)鐘信號(hào)。I/O線路應(yīng)在時(shí)鐘信號(hào)加于CLK的200個(gè)時(shí)鐘周期（ta）內(nèi)被置于高阻狀態(tài)Z（ta 時(shí)間在t’a之后）。時(shí)鐘加于CLK后，保持RST為狀態(tài)L至少400周期（tb）使卡復(fù)位（tb在t’a之后）。在時(shí)間t’b，RST被置于狀態(tài)H。I/O上的應(yīng)答應(yīng)在RST上信號(hào)上升沿之后的400~40 000個(gè)時(shí)鐘周期（tc）內(nèi)開(kāi)始（tc在t’b之后）。

在RST處于狀態(tài)H的情況下，如果應(yīng)答信號(hào)在40 000個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)仍未開(kāi)始，RST上的信號(hào)將返回到狀態(tài)L，且IC卡接口電路對(duì)IC卡產(chǎn)生釋放。

（2）釋放過(guò)程

當(dāng)信息交換結(jié)束或失敗時(shí)（例如，無(wú)卡響應(yīng)或卡被移出），接口電路應(yīng)按圖2所示時(shí)序釋放電路：

◇RST應(yīng)置為狀態(tài)L；

◇CLK應(yīng)置為狀態(tài)L（除非時(shí)鐘已在狀態(tài)L上停止）；

◇VPP應(yīng)釋放（如果它已被）；

◇I/O應(yīng)置為狀態(tài)A（在td時(shí)間內(nèi)沒(méi)有具體定義）；

◇VCC應(yīng)釋放。

主板觸摸IC拆裝手法

一、拆觸摸的時(shí)分需求留意反面的A8.還有觸摸四周的電容電阻.為避免A8爆錫或虛焊.溫度一定要控制好.一切的小芯片都同樣運(yùn)用的風(fēng)槍頭.

二、溫度在300度.風(fēng)速0檔.放少量焊油.

三、撬觸摸能夠用比擬尖的刀片或者磨一根針去撬.也能夠用鑷子去夾.

四、在錫剛消融的時(shí)分把觸摸拆下來(lái).這里需求留意手一定要穩(wěn).不能碰到旁邊的小元器件.觸摸旁的小電容電阻一顆都不能掉和連錫.

五、拆下來(lái)以后放少量焊油用洛鐵把焊盤(pán)拖平均.把焊盤(pán)刷潔凈.