二硒化鉬晶體 / 2H-MoSe2(Molybdenum Diselenide)
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二硒化鉬晶體-2H-MoSe2(Molybdenum-Diselenide)

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商品介紹
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生產(chǎn)廠商 HQ Graphene
產(chǎn)品名稱 二硒化鉬晶體 / 2H-MoSe2(Molybdenum Diselenide)
產(chǎn)品編號 HDT0229
產(chǎn)地 荷蘭
產(chǎn)品類別 二維晶體材料
可售賣地 全國
是否跨境貨源
是否進(jìn)口
商品介紹

生產(chǎn)廠商:HQ Graphene

 

產(chǎn)品信息

MoSe2 (2H phase) is a semiconductor having an indirect band gap of ~1.1 eV. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. MoSe2 belongs to the group-VI transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The 2H phase Molybdenum Diselenide crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.8-1 cm, are hexagonal shaped and have a metallic appearance.

 

二硒化鉬晶體 2H-MoSe2(Molybdenum Diselenide)-N型/P型
晶體尺寸:~10毫米
電學(xué)特性:N型/P型半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu):六邊形
晶胞參數(shù):a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型:合成
晶體純度:99.995%


20200622231249_76849.pngX-ray diffraction on a MoSe2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8



20200622231249_36511.pngPowder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal MoSe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.



20200622231249_80994.pngStoichiometric analysis of a single crystal MoSe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).



20200622231249_95897.pngRaman spectrum of a single crystal MoSe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

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公司名稱 赫狄通納米
聯(lián)系賣家 周經(jīng)理
手機(jī) 憩憭憪憩憫憥憦憫憦憭憧
地址 上海市奉賢區(qū)