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抗壓強(qiáng)度/MPa ≥20
干縮率/% ≤0.10
抗折強(qiáng)度/MPa ≥10.0
界面彎拉強(qiáng)度 ≥2.0
粘結(jié)強(qiáng)度/MPa ≥2.0
粒度 200
型號 200
貨號 2466
商品介紹
對InP晶片進(jìn)行了集群磁流變拋光實(shí)驗(yàn),研究了拋光過程中磨料參數(shù)(類型、質(zhì)量分?jǐn)?shù)和粒徑)對InP材料去除速率和表面粗糙度的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,InP晶片的去除速率隨磨料硬度的增加而變大,表面粗糙度受磨料硬度和密度的綜合影響;在選取的金剛石、SiC、Al2O3和SiO2等4種磨料中,使用金剛石磨料的InP去除速率,使用SiC磨料的InP拋光后的表面質(zhì)量。隨著SiC質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加,InP去除速率逐漸增加,但表面粗糙度先減小后增大。當(dāng)使用質(zhì)量分?jǐn)?shù)4%、粒徑3μm的SiC磨料對InP晶片進(jìn)行拋光時(shí),InP去除速率達(dá)到2.38μm/h,表面粗糙度從原始的33 nm降低到0.84 nm。
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產(chǎn)品用途分析:珍珠巖磨料主要用于電視機(jī)玻殼、電腦顯示屏、光學(xué)玻璃儀器及玻璃工藝飾品的拋光。在某些計(jì)算機(jī)顯示屏生產(chǎn)中,為了降低顯示屏表面的反光度,保護(hù)操作人員的視力,需要對顯示屏玻殼表面進(jìn)行打磨。電腦顯示屏玻殼的摩氏硬度一般在6.8一7.0之間,珍珠巖的摩氏硬度為5一6,硬度中等,非常適于玻殼的研磨。將珍珠巖磨料加到玻屏表面在打磨機(jī)上施加一定的壓力,與砂紙一起對玻屏表面進(jìn)行機(jī)械打磨,使玻殼表面的光澤度達(dá)到適當(dāng)?shù)某潭取!局行艗伖饽チ稀酷愪X石榴石(YAG)是一種應(yīng)用廣泛的硬脆難加工材料,其拋光過程工藝復(fù)雜、效率低。固結(jié)磨料拋光技術(shù)具有平坦化能力優(yōu)、對工件形貌選擇性高、磨料利用率高等優(yōu)點(diǎn)。試驗(yàn)采用固結(jié)磨料拋光YAG晶體,研究固結(jié)磨料墊的基體硬度和金剛石磨粒尺寸對YAG晶體的材料去除率和表面質(zhì)量的影響。結(jié)果表明:當(dāng)基體硬度適中為Ⅱ、金剛石磨粒尺寸3~5μm時(shí),固結(jié)磨料拋光YAG晶體效果優(yōu),其材料去除率為255 nm/min,表面粗糙度S_a值為1.79 nm。
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磨粒流拋光主要用于小尺寸和復(fù)雜結(jié)構(gòu)化表面的光整精加工。針對磨料參數(shù)選取僅靠其定性選擇原則和經(jīng)驗(yàn),導(dǎo)致一些工況的磨料選取不合理而嚴(yán)重影響加工質(zhì)量的問題,提出了一種磨料參數(shù)模糊優(yōu)選的方法。該方法基于模糊數(shù)學(xué)理論,采用模糊參數(shù)優(yōu)化建立了多目標(biāo)磨料參數(shù)優(yōu)選模型,結(jié)合磨料參數(shù)的選擇原則和磨料參數(shù)之間的影響建立了相對優(yōu)屬度矩陣和權(quán)向量,從而量化了不確定性因素。后,通過實(shí)際加工實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該方法的合理性和可行性。 對磨料水射流拋光45鋼進(jìn)行了研究,分析了材料的去除機(jī)理,在已有材料去除模型基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了正交實(shí)驗(yàn),對不同參數(shù)組合下磨料水射流加工45鋼的表面粗糙度、材料去除率進(jìn)行了MATLAB數(shù)據(jù)分析,同時(shí)從材料去除機(jī)理方面對磨料粒度、射流壓力、橫向進(jìn)給速度、靶距、噴嘴沖蝕角度等加工參數(shù)對于拋光表面質(zhì)量和材料去除率的影響程度和影響趨勢進(jìn)行了分析。終結(jié)合加工面表面粗糙度和材料去除率,選出45鋼拋光加工優(yōu)加工參數(shù)組合。
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藍(lán)寶石具有高硬度(莫氏硬度9)、優(yōu)異的耐腐蝕性以及良好的光學(xué)和機(jī)械性能,因此廣泛應(yīng)用于固態(tài)激光器,精密抗摩擦軸承,紅外窗口,半導(dǎo)體芯片基板等高科技領(lǐng)域。隨著科技迅猛的發(fā)展,對藍(lán)寶石表面平整度要求越來越高,而化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是目前普遍的表面加工技術(shù),是公認(rèn)的可以實(shí)現(xiàn)全局平坦化拋光方法,所以用化學(xué)機(jī)械拋光對藍(lán)寶石表面的超精密拋光成為研究的熱點(diǎn)。在CMP中,拋光漿料和拋光磨料扮演著重要角色,對藍(lán)寶石的拋光質(zhì)量有直接的影響。本文研究了將氧化鋁磨料分散于硅溶膠中獲得了穩(wěn)定性及拋光性能均較好的拋光漿料。采用均相沉淀法制備出粒徑分別為320nm、500nm、1.0μm左右的球形氧化鋁磨料,采用直接沉淀法制備出粒徑320nm的不規(guī)則形貌的氧化鋁磨料,并將不同粒徑、形貌的氧化鋁對藍(lán)寶石進(jìn)行拋光,得出粒徑為1.0μm的球形氧化鋁具有較佳的拋光效果。通過掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)等手段對樣品的形貌、物象等進(jìn)行表征。通過Zeta電位對拋光漿料的分散穩(wěn)定性進(jìn)行檢測,通過原子力顯微鏡(AFM)對藍(lán)寶石拋光前后的表面粗糙度進(jìn)行檢測。主要結(jié)果如下:將氧化鋁磨料分散在硅溶膠中,體系的穩(wěn)定
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