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同步整流的損耗同步整流管的損耗計算一般也是包括以下幾方面：■導通損耗■開關(guān)損耗■驅(qū)動損耗■反向恢復損耗■死區(qū)時間二極管損耗同步整流的損耗—Rds_onvsQg導通損耗一般由功率拓撲和選用MOS的Rdson決定，值得指出的是，導通損耗，開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗Pgate存在一定的權(quán)衡關(guān)系，由于MOS的Qg和Rdson成反比，而Qg大小一定程度上又與開關(guān)損耗成反比。所以，需要選擇合適而不是Rdson的MOS。另外，值得指出的是在一些自驅(qū)動線路中，驅(qū)動電平Ug在高壓較高會帶來額外的損耗也需要考慮其中。
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通常電子以原子核為中心運動，這與太陽系中的行星繞著太陽公轉(zhuǎn)一樣，如下圖所示：我們也常用下圖描述電子與原子核之間的關(guān)系：原子核外圍的電子排列是有一定的規(guī)律，我們以下面這種方式來表達。雖然看不懂你在說什么，但好像很厲害的樣子，好在我們只需要了解外層電子數(shù)，如上圖所示，外層電子數(shù)為3材料的穩(wěn)定性由外層電子數(shù)決定，一般外層電子數(shù)少于4時為金屬性，大于4時為非金屬性，外層電子數(shù)為8時穩(wěn)定，而當外層電子數(shù)為4時，這種材料即容易失去電子，又容易得到電子。
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半導體分為本征半導體和雜質(zhì)半導體。高度提純、結(jié)構(gòu)完整的半導體單晶體叫做本征半導體。常用的材料是硅和鍺。這種本征半導體有兩種載流子：自由電子和空穴，他們是成對出現(xiàn)的，有時也叫電子空穴對。載流子的濃度受溫度的影響非常的大，隨著溫度的升高，載流子的濃度基本上會按照指數(shù)規(guī)律增加。但是，由于本征半導體中的載流子濃度非常低，所以其導電的能力很差。另一種是雜質(zhì)半導體，分為N型半導體和P型半導體。