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IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對(duì)比：

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

驅(qū)動(dòng)電路是做什么用的呢

主電路和控制百電路之間，用來對(duì)控制電路的信號(hào)進(jìn)行放大的中間電路（即放大控制電路的信號(hào)使其能夠驅(qū)動(dòng)功率晶體管），稱為驅(qū)動(dòng)電路。

按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)，可以將電力電子器件分為電流驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)型兩類度。晶閘管是半控型器件，一般其驅(qū)動(dòng)電路成為觸發(fā)電路，下面分別分析晶閘管的觸發(fā)電路，GTO、GTR、電力MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)電路.

怎樣驅(qū)動(dòng)LED

驅(qū)動(dòng)器LED必須細(xì)心的設(shè)計(jì)方案考慮到，由于驅(qū)動(dòng)器將會(huì)造成熱損耗難題，這個(gè)問題將會(huì)巨大地減少光輸出，并減少LED的合理使用壽命。這早已造成許多模擬IC生產(chǎn)商設(shè)計(jì)方案專業(yè)的LED驅(qū)動(dòng)器IC，以恰當(dāng)驅(qū)動(dòng)器LED。以便掌握設(shè)計(jì)方案和生產(chǎn)制造這種LED驅(qū)動(dòng)器IC遭遇的難點(diǎn)，必須掌握白光LED發(fā)亮而需要什么。

白光LED必不可少由直流電路源驅(qū)動(dòng)器，那樣乳白色光斑才不容易挪動(dòng)，換句話說，色度務(wù)必是一致的。此外，即然白光LED是一個(gè)二極管，那麼它的內(nèi)部順向工作電壓(Vf)降務(wù)必?cái)[脫。這一Vf隨白光LED電流量額定電流的不一樣而各有不同，也會(huì)伴隨著溫度的轉(zhuǎn)變而更改。一個(gè)典型性的50mA白光LED的Vf在全部操作溫度范疇內(nèi)于2.9V和3.9V中間轉(zhuǎn)變。大部分運(yùn)用選用一個(gè)之上的白光LED，還將會(huì)以串聯(lián)、串連或串并組成(比如，串連LED的串聯(lián)串)的方法配備這種LED。這代表，白光LED控制器IC務(wù)必可以為特殊配備的LED出示充裕的電流量和工作電壓，而選用的變換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)另外考慮鍵入工作電壓范疇及其需要的輸出電壓和電流量的要求。