性 狀：    熔點：1240 °C
折光率: 3.56
密度：6.34    

質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)：    

純度Purity                              ≥99.99%
熔點Melting point                       1240°C
尺寸Dimensions                          1-4mm
密度Density                             8.2g/cm3
折光率Refractive index at 550nm         3.56（5μ）
（用于鍍膜材料）    

碲化鋅是灰色或棕紅色粉末，是鋅和碲的化合物，化學(xué)式為ZnTe。通過升華可得寶石紅立方系晶體。在干燥空氣中穩(wěn)定，遇水則分解，放出有惡臭和有毒的碲化氫氣體。碲化鋅主要用于半導(dǎo)體和紅外材料，可用作熒光材料和磷光材料，還也可制作發(fā)光二極管、作紅外探測、輻射探測材料。碲化鋅對波長為0.65μm的光有透過性，對波長為1～8μm 的光的折射率為2.7。

一種氧摻雜碲化鋅納米線陣列增強吸收的中間帶太陽電池結(jié)構(gòu)，在中間帶太陽電池技術(shù)的基礎(chǔ)上，以納米線為吸收層進一步提升中間帶太陽電池的光轉(zhuǎn)換效率，為制備出高效太陽電池打下了堅實的基礎(chǔ)，有望實現(xiàn)下一代太陽電池向高 效、低成本的方向發(fā)展?；谘鯎诫s碲化鋅納米線陣列的太陽電池，自上而下依次為：包裹了氧化鋅/氧摻雜碲化鋅/碲化鋅三層同軸包覆的納米線陣列頂端的n型 AZO透明導(dǎo)電薄膜、氧化鋅/氧摻雜碲化鋅/碲化鋅三層同軸包覆的(豎直的)納米線陣列、包裹納米線底端的PMDS支撐層和p型摻雜高導(dǎo)單晶硅層襯底，利用具有中間帶特性的氧化鋅/ 氧摻雜碲化鋅/碲化鋅三層同軸包覆的豎直納米線陣列作為光電吸收層；

在AZO透明導(dǎo)電薄 膜和p型摻雜高導(dǎo)單晶硅層分別引出電極；氧摻雜碲化鋅納米線陣列高度為5～10μm，直徑為100-300nm，氧摻雜碲化鋅中氧擴散摻雜濃度為1-5％,擴散層厚度在20～100nm；碲化鋅厚度為10～50nm；氧化鋅、氧摻雜 碲化鋅、碲化鋅三者形成同軸包覆結(jié)構(gòu)，氧化鋅在最外層；在高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微 鏡下觀察，每平方微米襯底表面上能觀察到的氧摻雜碲化鋅納米線數(shù)量應(yīng)在2根以上。

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